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HER601

更新时间： 2024-02-08 12:23:19
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DIOTECH 二极管功效
页数 文件大小 规格书
2页 861K
描述
HIGH EFFICIENT SILICON RECTIFIER

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HER601 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.63
其他特性：HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS应用：EFFICIENCY
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1 VJESD-30 代码：O-PALF-W2
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：200 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：6 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：50 V最大反向电流：10 µA
最大反向恢复时间：0.05 µs反向测试电压：50 V
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

HER601 数据手册

 浏览型号HER601的Datasheet PDF文件第2页 
HER601 THRU HER608  
HIGH EFFICIENT SILICON RECTIFIER  
Reverse Voltage - 50 to 1000 Volts  
Forward Current - 6.0 Ampere  
FEATURES  
R-6  
●
The plastic package carries Underwriters Laboratory  
Flammability Classification 94V-0  
●
Ultra fast switching for high efficiency  
Low reverse leakage  
●
●
●
1.0 (25.4)  
MIN.  
High forward surge current capability  
High temperature soldering guaranteed:  
0.360 (9.1)  
0.340(8.6)  
DIA.  
250 C/10 seconds,0.375”(9.5mm) lead length,  
5 lbs. (2.3kg) tension  
0.360(9.1)  
0.340(8.6)  
MECHANICAL DATA  
Case: R-6 molded plastic body  
1.0 (25.4)  
MIN.  
Terminals: Plated axial leads, solderable per MIL-STD-750,  
Method 2026  
0.052 (1.3)  
0.048 (1.2)  
DIA.  
Polarity: Color band denotes cathode end  
Mounting Position: Any  
Weight:0.072 ounce, 2.05 grams  
Dimensions in inches and (millimeters)  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase half-wave 60Hz,resistive or inductive load,for capacitive load current derate by 20%.  
HER  
601  
HER  
602  
HER  
603  
HER  
604  
HER  
605  
HER  
606  
HER  
607  
HER  
608  
Characteristic  
Symbol  
Unit  
RRM  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
V
V
RWM  
50  
35  
100  
70  
200  
140  
300  
210  
400  
280  
600  
420  
800  
560  
1000  
700  
V
R
V
R(RMS)  
RMS Reverse Voltage  
V
V
A
Average Rectified Output Current  
(Note 1)  
O
I
6.0  
@TA = 55°C  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current  
8.3ms Single half sine-wave superimposed on  
rated load (JEDEC Method)  
FSM  
I
200  
A
FM  
Forward Voltage  
@IF = 6.0A  
V
1.0  
1.3  
1.7  
V
Peak Reverse Current  
@TA = 25°C  
10.0  
100  
RM  
I
µA  
At Rated DC Blocking Voltage @TA = 100°C  
Reverse Recovery Time (Note 2)  
Typical Junction Capacitance (Note 3)  
Operating Temperature Range  
rr  
t
50  
75  
65  
nS  
pF  
°C  
°C  
j
C
100  
j
T
-65 to +150  
-65 to +150  
STG  
T
Storage Temperature Range  
Note: 1. Leads maintained at ambient temperature at a distance of 9.5mm from the case  
2. Measured with IF = 0.5A, IR = 1.0A, IRR = 0.25A. See figure 5.  
3. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.  
12

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