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HER205-TB PDF预览

HER205-TB

更新时间： 2024-02-04 23:40:23
品牌 Logo 应用领域
WTE 整流二极管功效
页数 文件大小 规格书
3页 51K
描述
2.0A HIGH EFFICIENCY RECTIFIER

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HER205-TB 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：DO-15
包装说明：O-PALF-W2针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.59
Is Samacsys：N其他特性：LOW LEAKAGE CURRENT, LOW POWER LOSS, HIGH RELIABILITY
应用：EFFICIENCY外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：DO-15
JESD-30 代码：O-PALF-W2JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：60 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最大输出电流：2 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：400 V
最大反向恢复时间：0.05 µs表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

HER205-TB 数据手册

 浏览型号HER205-TB的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HER205-TB的Datasheet PDF文件第3页 
WTE  
POWER SEMICONDUCTORS  
HER201 – HER208  
2.0A HIGH EFFICIENCY RECTIFIER  
Features  
!
Diffused Junction  
!
!
!
!
Low Forward Voltage Drop  
High Current Capability  
High Reliability  
A
B
A
High Surge Current Capability  
Mechanical Data  
C
!
!
Case: Molded Plastic  
D
Terminals: Plated Leads Solderable per  
MIL-STD-202, Method 208  
Polarity: Cathode Band  
Weight: 0.40 grams (approx.)  
Mounting Position: Any  
DO-15  
Dim  
A
Min  
25.4  
5.50  
0.71  
2.60  
Max  
—
!
!
!
!
B
7.62  
0.864  
3.60  
C
Marking: Type Number  
D
All Dimensions in mm  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics @TA=25°C unless otherwise specified  
Single Phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
HER  
201  
HER  
202  
HER  
203  
HER  
204  
HER  
205  
HER  
206  
HER  
207  
HER  
208  
Characteristic  
Symbol  
Unit  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
VRRM  
VRWM  
VR  
50  
35  
100  
70  
200  
140  
300  
210  
400  
280  
600  
420  
800  
560  
1000  
700  
V
RMS Reverse Voltage  
VR(RMS)  
IO  
V
A
Average Rectified Output Current  
(Note 1)  
2.0  
60  
@TA = 55°C  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current  
8.3ms Single half sine-wave superimposed on  
rated load (JEDEC Method)  
IFSM  
A
Forward Voltage  
@IF = 2.0A  
VFM  
IRM  
1.0  
1.3  
1.7  
V
Peak Reverse Current  
@TA = 25°C  
5.0  
100  
µA  
At Rated DC Blocking Voltage @TA = 100°C  
Reverse Recovery Time (Note 2)  
Typical Junction Capacitance (Note 3)  
Operating Temperature Range  
trr  
Cj  
50  
60  
75  
40  
nS  
pF  
°C  
°C  
Tj  
-65 to +125  
-65 to +150  
Storage Temperature Range  
TSTG  
*Glass passivated forms are available upon request  
Note: 1. Leads maintained at ambient temperature at a distance of 9.5mm from the case  
2. Measured with IF = 0.5A, IR = 1.0A, IRR = 0.25A. See figure 5.  
3. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.  
HER201 – HER208  
1 of 3  
© 2002 Won-Top Electronics  
123

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
HER205-TB-LF WTE Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 400V V(RRM), Silicon, DO-15, ROHS COMPLIANT, PLAS

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HER205-T-HF RECTRON 2A, 400V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-15, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAG

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