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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | POMM | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.31 |
| 其他特性： | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 2.12 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1 A | 集电极-发射极最大电压： | 60 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 200 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | BIP General Purpose Small Signal |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HD1L3N-T1 | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, POWER, PL |
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| HD1L3N-T1-AY | RENESAS |
获取价格 |
PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,60V V(BR)CEO,1A I(C),SOT-89 |
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| HD1L3N-T1-AZ | RENESAS |
获取价格 |
on-chip resistor NPN silicon epitaxial transistor For mid-speed switching |
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| HD1L3N-T2 | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, POWER, PL |
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| HD1L3N-T2-AY | RENESAS |
获取价格 |
PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,60V V(BR)CEO,1A I(C),SOT-89 |
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| HD1L3N-T2-AZ | RENESAS |
获取价格 |
on-chip resistor NPN silicon epitaxial transistor For mid-speed switching |
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| HD1P040-CSH2-10000 | JAE |
获取价格 |
Card Edge Connector |
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| HD1P040MA1 | ETC |
获取价格 |
Board-to-Cable Connector for High-speed Transmission HD Series Connector |
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| HD1P040MA1R6000 | JAE |
获取价格 |
Card Edge Connector |
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| HD1S | YANGJIE |
获取价格 |
MBS |
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