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HCS125MS

更新时间： 2024-01-15 16:31:33
品牌 Logo 应用领域
英特矽尔 - INTERSIL /
页数 文件大小 规格书
9页 96K
描述
Radiation Hardened Quad Buffer, Three-State

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HCS125MS 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
包装说明：DFP, FL14,.3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.72控制类型：ENABLE LOW
系列：HC/UHJESD-30 代码：R-CDFP-F14
JESD-609代码：e0负载电容（CL）：50 pF
逻辑集成电路类型：BUS DRIVER位数：1
功能数量：4端口数量：2
端子数量：14最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C输出特性：3-STATE
输出极性：TRUE封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：DFP封装等效代码：FL14,.3
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLATPACK
电源：5 VProp。Delay @ Nom-Sup：25 ns
传播延迟（tpd）：25 ns认证状态：Not Qualified
筛选级别：38535V;38534K;883S子类别：Bus Driver/Transceivers
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：MILITARY
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：FLAT
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
总剂量：200k Rad(Si) VBase Number Matches：1

HCS125MS 数据手册

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HCS125MS  
Radiation Hardened  
Quad Buffer, Three-State  
September 1995  
Features  
Pinouts  
14 LEAD CERAMIC DUAL-IN-LINE  
METAL SEAL PACKAGE (SBDIP)  
MIL-STD-1835 CDIP2-T14, LEAD FINISH C  
TOP VIEW  
• 3 Micron Radiation Hardened SOS CMOS  
• Total Dose 200K RAD (Si)  
• SEP Effective LET No Upsets: >100 MEV-cm2/mg  
• Single Event Upset (SEU) Immunity < 2 x 10-9 Errors/Bit-Day  
(Typ)  
OE1  
A1  
1
2
3
4
5
6
7
14 VCC  
13 OE4  
12 A4  
• Dose Rate Survivability: >1 x 1012 RAD (Si)/s  
• Dose Rate Upset >1010 RAD (Si)/s, 20ns Pulse  
• Latch-Up Free Under Any Conditions  
• Military Temperature Range: -55oC to +125oC  
• Significant Power Reduction Compared to LSTTL ICs  
• DC Operating Voltage Range: 4.5V to 5.5V  
• Input Logic Levels  
Y1  
OE2  
A2  
11 Y4  
10 OE3  
Y2  
9
8
A3  
Y3  
GND  
- VIL = 30% of VCC Max  
- VIH = 70% of VCC Min  
14 LEAD CERAMIC METAL SEAL  
FLATPACK PACKAGE (FLATPACK)  
MIL-STD-1835 CDFP3-F14, LEAD FINISH C  
TOP VIEW  
• Input Current Levels Ii ≤ 5µA at VOL, VOH  
Description  
1
2
3
4
5
6
7
14  
13  
12  
11  
10  
9
VCC  
OE4  
A4  
OE1  
A1  
The Intersil HCS125MS is a Radiation Hardened quad three-state  
buffer, each having its own output enable input. A high level on the  
enable input puts the output in a high impedance state.  
Y1  
Y4  
OE2  
A2  
The HCS125MS utilizes advanced CMOS/SOS technology to  
achieve high-speed operation. This device is a member of  
radiation hardened, high-speed, CMOS/SOS Logic Family.  
OE3  
A3  
Y2  
Y3  
GND  
8
The HCS125MS is supplied in a 14 lead Ceramic flatpack  
(K suffix) or a SBDIP Package (D suffix).  
Functional Diagram  
Ordering Information  
PART  
NUMBER  
TEMPERATURE SCREENING  
RANGE LEVEL  
An  
Yn  
P
n
PACKAGE  
o
o
HCS125DMSR -55 C to +125 C Intersil Class  
S Equivalent  
14 Lead SBDIP  
OEn  
o
o
HCS125KMSR -55 C to +125 C Intersil Class  
S Equivalent  
14 Lead Ceramic  
Flatpack  
o
HCS125D/  
Sample  
+25 C  
Sample  
Sample  
Die  
14 Lead SBDIP  
TRUTH TABLE  
INPUTS  
OUTPUT  
o
HCS125K/  
Sample  
+25 C  
14 Lead Ceramic  
Flatpack  
An  
H
OEn  
L
Yn  
H
L
o
HCS125HMSR  
+25 C  
Die  
L
L
X
H
Z
L = Low, H = High, X = Don’t Care, Z = High Impedance  
CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge; follow proper IC Handling Procedures.  
Spec Number 518831  
File Number 3559.1  
1-888-INTERSIL or 321-724-7143 | Copyright © Intersil Corporation 1999  
123  
1234567...9

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