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| 生命周期： | Active | 包装说明： | CHIP, |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.78 |
| 具有ADC： | YES | 地址总线宽度： | |
| 位大小： | 16 | 最大时钟频率： | 10 MHz |
| DMA 通道： | NO | 外部数据总线宽度： | |
| PWM 通道： | YES | 封装代码： | CHIP |
| 封装形状： | UNSPECIFIED | 封装形式： | UNCASED CHIP |
| 速度： | 10 MHz | 最大供电电压： | 3.6 V |
| 最小供电电压： | 2.7 V | 标称供电电压： | 3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | UPPER |
| uPs/uCs/外围集成电路类型： | MICROCONTROLLER | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HCD64F38427 | RENESAS |
获取价格 |
8-BIT, MROM, 8MHz, MICROCONTROLLER, UUC80, 4.35 X 4.83 MM, DIE-80 |
|
| HCD64F3854 | RENESAS |
获取价格 |
8-Bit Single-Chip Microcomputer |
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| HCD64F3857 | RENESAS |
获取价格 |
8-Bit Single-Chip Microcomputer |
|
| HCD65R360S | SEMIHOW |
获取价格 |
650V N-Channel Super Junction MOSFET |
|
| HCD65R600S | SEMIHOW |
获取价格 |
650V N-Channel Super Junction MOSFET |
|
| HCD65R660S | SEMIHOW |
获取价格 |
650V N-Channel Super Junction MOSFET |
|
| HCD660 | GOLLEDGE |
获取价格 |
OCXO Sine Output High Performance |
|
| HCD660/DRCN20.0MHZ | GOLLEDGE |
获取价格 |
Sine Output Oscillator |
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| HCD660/DRFN | GOLLEDGE |
获取价格 |
OCXO Sine Output High Performance |
|
| HCD660/DRFN10.0MHZ | GOLLEDGE |
获取价格 |
Sine Output Oscillator |
|
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