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HC6856/1YBHAT

更新时间： 2024-02-24 19:41:54

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霍尼韦尔 - HONEYWELL		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
12页	558K
描述
Standard SRAM, 32KX8, 40ns, CMOS, CDFP36, 0.630 X 0.650 INCH, CERAMIC, FP-36

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HC6856/1YBHAT 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DFP
包装说明：	DFP, TPAK36,1.5,25	针数：	36
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.69
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	40 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-CDFP-F36
JESD-609代码：	e0	长度：	16.51 mm
内存密度：	262144 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	36
字数：	32768 words	字数代码：	32000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	32KX8
输出特性：	3-STATE	可输出：	YES
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	DFP
封装等效代码：	TPAK36,1.5,25	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	筛选级别：	38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度：	4.191 mm	最大待机电流：	0.0004 A
最小待机电流：	2.5 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.0075 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	FLAT	端子节距：	0.635 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
总剂量：	1M Rad(Si) V	宽度：	16.002 mm
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
HC6856/1YBHZC	HONEYWELL	Standard SRAM, 32KX8, 40ns, CMOS, CDFP36, 0.630 X 0.650 INCH, CERAMIC, FP-36	获取价格
HC6856/1YBHZT	HONEYWELL	Standard SRAM, 32KX8, 40ns, CMOS, CDFP36, 0.630 X 0.650 INCH, CERAMIC, FP-36	获取价格
HC6856/1YBRAC	ETC	x8 SRAM	获取价格
HC6856/1YBRAT	ETC	x8 SRAM	获取价格
HC6856/1YBRZC	HONEYWELL	Standard SRAM, 32KX8, 40ns, CMOS, CDFP36, 0.630 X 0.650 INCH, CERAMIC, FP-36	获取价格
HC6856/1YBRZT	HONEYWELL	Standard SRAM, 32KX8, 40ns, CMOS, CQFP36	获取价格