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HAT2025REL

更新时间： 2024-01-05 17:31:31

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瑞萨 - RENESAS		晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲电源开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
7页	90K
描述
8A, 30V, 0.05ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

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HAT2025REL 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOP
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	1 week	风险等级：	5.81
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	8 A
最大漏极电流 (ID)：	8 A	最大漏源导通电阻：	0.05 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2.5 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	64 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	20
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

HAT2025REL 数据手册

HAT2025R

Reverse Drain Current vs.

Source to Drain Voltage

Pulse Test

5 V

V_GS

= 0 V

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

Source to Drain Voltage V_SD(V)

Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width

D = 1

0.5

0.1

θch – f (t) = γ s (t) • θch – f

θch – f = 83.3°C/W, Ta = 25°C

When using the glass epoxy board

(FR4 40 × 40 × 1.6 mm)

0.01

D =

P_DM

0.001

0.0001

10 µ

100 µ

1 m

10 m

100 m

100

1000

10000

Pulse Width PW (S)

Switching Time Test Circuit

Vin Monitor

Switching Time Waveform

90%

Vout

Monitor

10%

D.U.T.

R_L

Vin

Vout

10%

V_DD

= 10 V

Vin

4 V

50 Ω

90%

d(off)

d(on)

Rev.5.00 Sep 07, 2005 page 5 of 6

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