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H5TQ2G63FFR-H9C

更新时间： 2024-02-29 04:22:05

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H5TQ2G63FFR-H9C 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	TFBGA, BGA96,9X16,32
针数：	96	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.36
风险等级：	5.79	访问模式：	MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间：	0.255 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	667 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	4,8	JESD-30 代码：	R-PBGA-B96
长度：	13 mm	内存密度：	2147483648 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	96	字数：	134217728 words
字数代码：	128000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：
组织：	128MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装等效代码：	BGA96,9X16,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	1.5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	YES	连续突发长度：	4,8
最大待机电流：	0.012 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.2 mA	最大供电电压 (Vsup)：	1.575 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.425 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	7.5 mm
Base Number Matches：	1

2Gb DDR3 SDRAM

Lead-Free&Halogen-Free

(RoHS Compliant)

H5TQ2G83FFR-xxC

H5TQ2G63FFR-xxC

H5TQ2G83FFR-xxI

H5TQ2G63FFR-xxI

H5TQ2G83FFR-xxJ

H5TQ2G63FFR-xxJ

H5TQ2G83FFR-xxL

H5TQ2G63FFR-xxL

* SK Hynix reserves the right to change products or specifications without notice.

Rev. 1.2 / Nov. 2013

12 3 4 5 6 7...33

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
H5TQ2G63BFR-PBC	HYNIX	功能相似	DDR DRAM, 128MX16, 20ns, CMOS, PBGA96, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-96