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H5TQ1G83DFR-TEC

更新时间： 2024-02-16 00:07:22

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海力士 - HYNIX		时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数	文件大小	规格书
33页	869K
描述
DDR DRAM, 128MX8, CMOS, PBGA78, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-78

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H5TQ1G83DFR-TEC 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	TFBGA, BGA78,9X13,32
针数：	78	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.32
风险等级：	5.8	访问模式：	MULTI BANK PAGE BURST
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	1066 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	4,8
JESD-30 代码：	R-PBGA-B78	JESD-609代码：	e1
长度：	11 mm	内存密度：	1073741824 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	78	字数：	134217728 words
字数代码：	128000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：
组织：	128MX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装等效代码：	BGA78,9X13,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	1.5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	YES	连续突发长度：	4,8
子类别：	DRAMs	最大供电电压 (Vsup)：	1.575 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.425 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	20
宽度：	7.5 mm	Base Number Matches：	1

1Gb DDR3 SDRAM

Lead-Free&Halogen-Free

(RoHS Compliant)

H5TQ1G83DFR-xxC

H5TQ1G83DFR-xxI

H5TQ1G83DFR-xxL

H5TQ1G83DFR-xxJ

H5TQ1G63DFR-xxC

H5TQ1G63DFR-xxI

H5TQ1G63DFR-xxL

H5TQ1G63DFR-xxJ

*Hynix Semiconductor reserves the right to change products or specifications without notice

Rev. 1.8 /June. 2013

12 3 4 5 6 7...33

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
H5TQ1G83DFRTEI	HYNIX	获取价格	1Gb DDR3 SDRAM
H5TQ1G83DFRTEJ	HYNIX	获取价格	1Gb DDR3 SDRAM
H5TQ1G83DFR-TEJ	HYNIX	获取价格	DDR DRAM, 128MX8, CMOS, PBGA78, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-78
H5TQ1G83DFRTEL	HYNIX	获取价格	1Gb DDR3 SDRAM
H5TQ1G83EFR	HYNIX	获取价格	1Gb DDR3 SDRAM
H5TQ1G83EFRG7C	HYNIX	获取价格	1Gb DDR3 SDRAM
H5TQ1G83EFRG7I	HYNIX	获取价格	1Gb DDR3 SDRAM
H5TQ1G83EFRG7J	HYNIX	获取价格	1Gb DDR3 SDRAM
H5TQ1G83EFR-G7J	HYNIX	获取价格	DDR DRAM, 128MX8, CMOS, PBGA78, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-78
H5TQ1G83EFRG7L	HYNIX	获取价格	1Gb DDR3 SDRAM