捷配首页

Datasheet > H2N6388
H2N6388 PDF预览

H2N6388

更新时间： 2025-08-31 22:33:03
品牌 Logo 应用领域
HSMC 晶体晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
3页 38K
描述
NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

阅读下载

中文翻译

获取价格

H2N6388 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.84
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：10 A
配置：Single最小直流电流增益 (hFE)：1000
最高工作温度：150 °C极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：65 W子类别：Other Transistors
表面贴装：NOBase Number Matches：1

H2N6388 数据手册

 浏览型号H2N6388的Datasheet PDF文件第2页浏览型号H2N6388的Datasheet PDF文件第3页 
Spec. No. : HE6714-C  
Issued Date : 1992.12.15  
Revised Date : 1999.08.01  
Page No. : 1/3  
HI-SINCERITY  
MICROELECTRONICS CORP.  
H2N6388  
NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR  
Description  
The H2N6388 is designed for general-purpose amplifier and  
switching applications.  
(Ta=25°C)  
Absolute Maximum Ratings  
• Maximum Temperatures  
Storage Temperature............................................................................................ -55 ~ +150 °C  
Junction Temperature ................................................................................... +150 °C Maximum  
• Maximum Power Dissipation  
Total Power Dissipation (Tc=25°C) .................................................................................... 65 W  
Total Power Dissipation (Ta=25°C) ...................................................................................... 2 W  
• Maximum Voltages and Currents  
BVCBO Collector to Base Voltage...................................................................................... 80 V  
BVCEO Collector to Emitter Voltage................................................................................... 80 V  
BVEBO Emitter to Base Voltage........................................................................................... 5 V  
IC Collector Current............................................................................................................ 10 A  
(Ta=25°C)  
Characteristics  
Symbol  
BVCBO  
*BVCEO  
ICBO  
IEBO  
ICEO  
Min.  
80  
80  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1
100  
-
-
Typ.  
-
-
-
-
-
-
-
-
1.5  
2
-
-
-
-
3
-
Max.  
Unit  
V
V
uA  
mA  
mA  
uA  
V
V
V
V
V
Test Conditions  
IC=1mA, IE=0  
IC=200mA, IB=0  
VCB=160V, IE=0  
VEB=5V, IC=0  
VCE=80V, IB=0  
VCE=80V, VBE(off)=1.5V  
IC=5A, IB=10mA  
IC=10A, IB=100mA  
IC=5A, IB=2.5mA  
IC=5A, IB=5mA  
IC=5A, VCE=3V  
IC=10A, VCE=3V  
IC=5A, VCE=3V  
IC=10A, VCE=3V  
IC=5A  
-
-
100  
5
1
300  
2
3
ICEV  
*VCE(sat)1  
*VCE(sat)2  
*VCE(sat)3  
*VBE(sat)  
VBE(on)1  
VBE(on)2  
*hFE1  
-
-
2.8  
4.5  
20  
-
V
K
*hFE2  
VFEC  
Cob  
-
V
pF  
200  
VCB=10V, IE=0  
*Pulse Test : Pulse Width ≤380us, Duty Cycle≤2%  
Classification of  
Rank  
KC  
Normal  
hFE1  
2-20K  
1-20K  
VCE(sat)1  
<1.3V  
VCE(sat)3  
VBE(sat)  
<2.0V  
-
VFEC  
<3.0V  
-
<1.5V  
-
<2.0V  
HSMC Product Specification  
123

中文翻译

下载PDF

与H2N6388相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
H2N6426 HSMC

获取价格

 		NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
H2N6427 HSMC

获取价格

 		NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
H2N6517 HSMC

获取价格

 		NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
H2N6520 HSMC

获取价格

 		PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
H2N6668 HSMC

获取价格

 		PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
H2N6718 HSMC

获取价格

 		NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
H2N6718L HSMC

获取价格

 		NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
H2N6718V HSMC

获取价格

 		NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
H2N7000 HSMC

获取价格

 		N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE TRANSISTOR
H2N7000 HUASHAN

获取价格

 		N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

与H2N6388相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2025 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证