Datasheet > H0700KC17P

H0700KC17P

更新时间： 2024-01-15 19:59:49

品牌	Logo	应用领域
IXYS		栅栅极
页数	文件大小	规格书
15页	319K
描述
Symmetrical GTO SCR, 700A I(T)RMS, 1700V V(DRM), 510V V(RRM), 1 Element

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

H0700KC17P 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	DISK BUTTON, O-CXDB-X4
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.8	配置：	SINGLE
最大直流栅极触发电流：	1500 mA	JESD-30 代码：	O-CXDB-X4
元件数量：	1	端子数量：	4
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	DISK BUTTON	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	700 A
断态重复峰值电压：	1700 V	重复峰值反向电压：	510 V
表面贴装：	YES	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UNSPECIFIED	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
触发设备类型：	SYMMETRICAL GTO SCR	Base Number Matches：	1

H0700KC17P 数据手册

WESTCODE An IXYS Company

Fast Symmetrical Gate Turn-Off Thyristor type H0700KC17#

Curves

Figure 1 – Forward gate characteristics

Figure 2 - On-state characteristics of Limit device

1000

10000

H0700KC17#

Issue 1

For T_j= -40^oC to +125^oC

100

1000

T_j=125^oC

T_j=25^oC

Minimum

Maximum

100

0.5

1.5

Instantaneous forward gate voltage, V_FG(V)

Instantaneous on-state voltage, V_T(V)

Figure 3 - Maximum surge and I²t Ratings

100000

1.00E+06

1.00E+05

1.00E+04

H0700KC17#

I²t: V_RRM≤10V

Issue 1

T_j(initial) = 125°C

I²t: 60% V_RRM

10000

I_TSM: V_RRM≤10V

I_TSM: 60% V_RRM

1000

50 100

Duration of surge (ms)

Duration of surge (cycles @ 50Hz)

Data Sheet. Type H0700KC17# Issue 1

Page 10 of 15

April, 2004

1...7 8 91011 12 13...15

下载PDF

与H0700KC17P相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
H0700KC17R	IXYS	Symmetrical GTO SCR, 700A I(T)RMS, 1700V V(DRM), 425V V(RRM), 1 Element	获取价格
H0700KC17S	IXYS	Symmetrical GTO SCR, 700A I(T)RMS, 1700V V(DRM), 340V V(RRM), 1 Element	获取价格
H0700KC17V	IXYS	Symmetrical GTO SCR, 700A I(T)RMS, 1700V V(DRM), 170V V(RRM), 1 Element	获取价格
H0700KC17W	IXYS	Symmetrical GTO SCR, 700A I(T)RMS, 1700V V(DRM), 85V V(RRM), 1 Element	获取价格
H0700KC17Y	IXYS	Symmetrical GTO SCR	获取价格
H07A	YANGJIE	SOD-123FL	获取价格