是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | QFP | 包装说明: | LQFP, QFP100,.63X.87 |
针数: | 100 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | 3A991.B.2.B | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.71 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 8.5 ns | 其他特性: | FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY |
最大时钟频率 (fCLK): | 133 MHz | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PQFP-G100 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 20 mm | 内存密度: | 18874368 bit |
内存集成电路类型: | CACHE SRAM | 内存宽度: | 36 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 100 | 字数: | 524288 words |
字数代码: | 512000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 512KX36 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | LQFP |
封装等效代码: | QFP100,.63X.87 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLATPACK, LOW PROFILE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 2.5,3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.6 mm |
最大待机电流: | 0.02 A | 最小待机电流: | 2.3 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.17 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 2.7 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 2.5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.65 mm | 端子位置: | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 14 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
GS8161E36T-133I | GSI |
获取价格 |
1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
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GS8161E36T-133IT | GSI |
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Cache SRAM, 512KX36, 8.5ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100 |
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GS8161E36T-150 | GSI |
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1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
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GS8161E36T-150I | GSI |
获取价格 |
1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
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GS8161E36T-150IT | GSI |
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暂无描述 |
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GS8161E36T-150T | GSI |
获取价格 |
Cache SRAM, 512KX36, 7.5ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100 |
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GS8161E36T-166 | GSI |
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1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
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GS8161E36T-166I | GSI |
获取价格 |
1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
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GS8161E36T-166IT | GSI |
获取价格 |
Cache SRAM, 512KX36, 7ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100 |
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GS8161E36T-200I | GSI |
获取价格 |
1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
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