是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | QFP | 包装说明: | LQFP, QFP100,.63X.87 |
针数: | 100 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | 3A991.B.2.B | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.71 | 最长访问时间: | 7.5 ns |
其他特性: | FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY | 最大时钟频率 (fCLK): | 150 MHz |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PQFP-G100 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 20 mm |
内存密度: | 18874368 bit | 内存集成电路类型: | CACHE SRAM |
内存宽度: | 36 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 100 |
字数: | 524288 words | 字数代码: | 512000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 512KX36 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | LQFP | 封装等效代码: | QFP100,.63X.87 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLATPACK, LOW PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 2.5,3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.6 mm | 最大待机电流: | 0.03 A |
最小待机电流: | 2.3 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.2 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 2.7 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 2.5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.65 mm |
端子位置: | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 14 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
GS8161E36T-150IT | GSI |
获取价格 |
暂无描述 |
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GS8161E36T-150T | GSI |
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Cache SRAM, 512KX36, 7.5ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100 |
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GS8161E36T-166 | GSI |
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1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
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GS8161E36T-166I | GSI |
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1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
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GS8161E36T-166IT | GSI |
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Cache SRAM, 512KX36, 7ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100 |
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GS8161E36T-200I | GSI |
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1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
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GS8161E36T-225 | GSI |
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1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
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GS8161E36T-225I | GSI |
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1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
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GS8161E36T-225IT | GSI |
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Cache SRAM, 512KX36, 6ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100 |
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GS8161E36T-250 | GSI |
获取价格 |
1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
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