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GS81302T06E-500T

更新时间： 2024-01-08 17:55:19

品牌	Logo	应用领域
GSI		双倍数据速率静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
29页	384K
描述
DDR SRAM, 16MX8, 0.37ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165

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GS81302T06E-500T 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Not Recommended	零件包装代码：	BGA
包装说明：	LBGA,	针数：	165
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.B
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.32
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	0.37 ns
其他特性：	PIPELINED ARCHITECTURE	JESD-30 代码：	R-PBGA-B165
长度：	17 mm	内存密度：	134217728 bit
内存集成电路类型：	DDR SRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	165
字数：	16777216 words	字数代码：	16000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	16MX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LBGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.5 mm
最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	BALL	端子节距：	1 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	15 mm	Base Number Matches：	1

GS81302T06E-500T 数据手册

GS81302T06/11/20/38E-500/450/400/350

500 MHz–350 MHz

144Mb SigmaDDR^TM-II+

Burst of 2 SRAM

165-Bump BGA

Commercial Temp

Industrial Temp

1.8 V V

1.8 V or 1.5 V I/O

SRAMs are just one element in a family of low power, low

voltage HSTL I/O SRAMs designed to operate at the speeds

needed to implement economical high performance

networking systems.

Features

• 2.5 Clock Latency

• Simultaneous Read and Write SigmaDDR Interface

• JEDEC-standard pinout and package

• Double Data Rate interface

• Byte Write controls sampled at data-in time

• Burst of 2 Read and Write

• On-Die Termination (ODT) on Data (D), Byte Write (BW),

and Clock (K, K) inputs

• 1.8 V +100/–100 mV core power supply

• 1.5 V or 1.8 V HSTL Interface

Clocking and Addressing Schemes

The GS81302T06/11/20/38E SigmaDDR-II+ SRAMs are

synchronous devices. They employ two input register clock

inputs, K and K. K and K are independent single-ended clock

inputs, not differential inputs to a single differential clock input

buffer.

• Pipelined read operation

Each internal read and write operation in a SigmaDDR-II+ B2

RAM is two times wider than the device I/O bus. An input data

bus de-multiplexer is used to accumulate incoming data before

it is simultaneously written to the memory array. An output

data multiplexer is used to capture the data produced from a

single memory array read and then route it to the appropriate

output drivers as needed. Therefore, the address field of a

SigmaDDR-II+ B2 RAM is always one address pin less than

the advertised index depth (e.g., the 16M x 8 has an 8M

addressable index).

• Fully coherent read and write pipelines

• ZQ pin for programmable output drive strength

• Data Valid Pin (QVLD) Support

• IEEE 1149.1 JTAG-compliant Boundary Scan

• 165-bump, 15 mm x 17 mm, 1 mm bump pitch BGA package

• RoHS-compliant 165-bump BGA package available

SigmaDDR-II™ Family Overview

The GS81302T06/11/20/38E are built in compliance with the

SigmaDDR-II+ SRAM pinout standard for Common I/O

synchronous SRAMs. They are 150,994,944-bit (144Mb)

SRAMs. The GS81302T06/11/20/38E SigmaDDR-II+

Parameter Synopsis

-500

2.0 ns

0.45 ns

-450

2.2 ns

0.45 ns

-400

2.5 ns

0.45 ns

-350

tKHKH

tKHQV

2.86 ns

0.45 ns

Rev: 1.03c 11/2011

1/29

Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.

12 3 4 5 6 7...29

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与GS81302T06E-500T相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
GS81302T06GE-300I	GSI	DDR SRAM, 16MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165	获取价格
GS81302T06GE-300T	GSI	DDR SRAM, 16MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165	获取价格
GS81302T06GE-333IT	GSI	DDR SRAM, 16MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165	获取价格
GS81302T06GE-333T	GSI	DDR SRAM, 16MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165	获取价格
GS81302T06GE-350	GSI	165 BGA	获取价格
GS81302T06GE-350I	GSI	165 BGA	获取价格

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