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GS74116TP

更新时间： 2024-10-01 10:35:55

品牌	Logo	应用领域
GSI		静态存储器
页数	文件大小	规格书
14页	134K
描述
256K x 16 4Mb Asynchronous SRAM

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GS74116TP 数据手册

GS74116TP/J/U

SOJ, TSOP, FP-BGA

Commercial Temp

Industrial Temp

8, 10, 12, 15ns

3.3V VDD

Center VDD & VSS

256K x 16

4Mb Asynchronous SRAM

SOJ 256K x 16 Pin Configuration

Features

• Fast access time: 8, 10, 12, 15ns

• CMOS low power operation: 170/145/130/110 mA at min.cycle time.

• Single 3.3V ± 0.3V power supply

• All inputs and outputs are TTL compatible

• Byte control

• Fully static operation

• Industrial Temperature Option: -40° to 85°C

• Package line up

Top view

DQ1

DQ2

DQ3

DQ4

VDD

DQ16

DQ15

DQ14

J: 400mil, 44 pin SOJ package

TP: 400mil, 44 pin TSOP Type II package

U: 7.20mm x 11.65mm Fine Pitch Ball Grid Array package

DQ13

VSS

VDD

DQ12

DQ11

DQ10

DQ9

44 pin

SOJ

VSS

DQ5

DQ6

DQ7

DQ8

Description

The GS74116 is a high speed CMOS static RAM organized as

262,144-words by 16-bits. Static design eliminates the need for exter-

nal clocks or timing strobes. Operating on a single 3.3V power supply

and all inputs and outputs are TTL compatible. The GS74116 is avail-

able in a 7.2x11.65 mm Fine Pitch BGA package, 400 mil SOJ and

400 mil TSOP Type-II packages.

A15

A14

A13

A10

A11

A12

A16

A17

Pin Descriptions

Fine Pitch BGA 256K x 16 Bump Configuration

Symbol

A0 to A17

Description

Address input

DQ1 to DQ16

Data input/output

Chip enable input

Lower byte enable input

(DQ1 to DQ8)

DQ16 UB

DQ1

Upper byte enable input

(DQ9 to DQ16)

DQ14 DQ15 A5

VSS DQ13 A17

VDD DQ12 NC

DQ11 DQ10 A8

DQ2 DQ3

DQ4 VDD

VDD

VSS

Write enable input

Output enable input

+3.3V power supply

Ground

A16 DQ5 VSS

DQ7 DQ6

WE DQ8

DQ9

A10

A13

A11

A14

No connect

A12

A15

7.2x11.65mm 0.75mm Bump Pitch

Top View

Rev: 2.02 3/2000

1/14

Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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