Datasheet > GMS05F/E9

GMS05F/E9

更新时间： 2024-01-10 08:16:52

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		二极管
页数	文件大小	规格书
2页	26K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 5V V(RWM), Unidirectional,

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

GMS05F/E9 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SOT-23
针数：	5	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.8	最大钳位电压：	14.5 V
二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	JESD-609代码：	e0
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大重复峰值反向电压：	5 V
子类别：	Transient Suppressors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

GMS05F/E9 数据手册

GMS05F

Vishay Semiconductors

formerly General Semiconductor

Ratings and

Characteristic Curves (T_A= 25°C unless otherwise noted)

Fig. 1 – Non-Repetitive Peak Pulse Power

Fig. 2 – Pulse Derating Curve

vs. Pulse Time

100

0.1

0.01

150

175

100

125

0.1

1.0

100

1000

td — Pulse Duration (µs)

T_A— Ambient Temperature (°C)

Fig. 4 – Clamping Voltage

vs. Peak Pulse Current

Fig. 3 – Pulse Waveform

110

Pulse Width (td)

is defined as the point

where the peak current

decays to 50% of I_PPM

100

IPP

t_d

I_PP— Peak Pulse Current (A)

t — Time (µs)

Fig. 5 – Typical Junction Capacitance

350

300

250

200

150

100

V_R— Reverse Voltage (V)

www.vishay.com

Document Number 88344

28-Feb-02

下载PDF

与GMS05F/E9相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
GMS05F/G1	VISHAY	Trans Voltage Suppressor Diode, 350W, Unidirectional, 4 Element, Silicon, SOT-23, 5 PIN	获取价格
GMS05F/G2	VISHAY	Trans Voltage Suppressor Diode, 350W, Unidirectional, 4 Element, Silicon, SOT-23, 5 PIN	获取价格
GMS05FE8	VISHAY	DIODE 350 W, UNIDIRECTIONAL, 4 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE, SOT-23, 5 PIN, Transient Suppr	获取价格
GMS05FE9	VISHAY	DIODE 350 W, UNIDIRECTIONAL, 4 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE, SOT-23, 5 PIN, Transient Suppr	获取价格
GMS060065Q	GOOD-ARK	SiC MOSFET	获取价格
GMS080120Q	GOOD-ARK	SiC MOSFET	获取价格