桂 林 斯 壯 微 電 子 有 限 責 任 公 司
Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.
GMD882
■ELECTRICAL CHARACTERISTICS 電特性
(TA=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明,溫度爲 25℃)
Characterstic
特性參數
Symbol
符號
Test Condition
測試條件
Min
TYP
Max
Unit
最小值
典型值 最大值 單位
Collector Cutoff Current
集電極截止電流
—
—
ICBO
IEBO
VCB=30V,IE=0
VEB=5V,IC=0
—
—
1.0
1.0
—
μA
μA
Emitter Cutoff Current
發射極截止電流
Collector-Base Breakdown Voltage
—
—
—
V(BR)CBO
V(BR)CEO
V(BR)EBO
IC=100μA
IC=10mA
40
30
5
V
V
V
集電極-基極擊穿電壓
Collector-Emitter Breakdown Voltage
—
—
集電極-發射極擊穿電壓
Emitter-Base Breakdown Voltage
IE=100μA
發射極-基極擊穿電壓
—
—
HFE(1)
HFE(2)
VCE=2V,IC=20A
VCE=2V,IC=1A
30
—
DC Current Gain
直流電流增益
—
60
400
Collector Saturation Voltage
0.3
1.0
90
VCE(sat)
VBE(sat)
fT
IC=2A, IB=200mA
IC=2A, IB=200mA
—
—
—
—
0.5
2.0
—
V
V
集電極飽和壓降
Base Saturation Voltage
基極飽和電壓
Transition Frequency
特徵頻率
VCE=5V,IC=100mA
VCB=10V,IE=0,f=1MHz
MHz
pF
Collector Output Capacitance
輸出電容
Cob
55
—
■DEVICE MARKING 打標
GM
D882
P
GM
D882
E
■HFE RANGE 放大倍數分檔
160-320
P
200~400
E