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GM76V256CLLE-85

更新时间： 2024-02-06 14:07:06

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海力士 - HYNIX		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
10页	136K
描述
Standard SRAM, 32KX8, 85ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28

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GM76V256CLLE-85 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIP
包装说明：	DIP, DIP28,.6	针数：	28
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.84
最长访问时间：	85 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDIP-T28	长度：	37.008 mm
内存密度：	262144 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	28	字数：	32768 words
字数代码：	32000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-25 °C
组织：	32KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP28,.6	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	4.826 mm
最小待机电流：	2 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.035 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	15.24 mm
Base Number Matches：	1

GM76V256CLLE-85 数据手册

GM76V256C Series

WRITE CYCLE 1(/OE Clocked)

tWC

ADDR

tAW

tCW

tAS

tWR

tWP

tDW

tDH

Data Valid

Data In

tOHZ

Data

Out

WRITE CYCLE 2 (/OE Low Fixed)

tWC

ADDR

tAW

tCW

tWR

tAS

tWP

tDW

tDH

Data Valid

tOW

Data In

tWHZ

(8)

(7)

Data

Out

Rev 00 / Jul. 2000

1...4 5 678 9 10

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与GM76V256CLLE-85相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
GM76V256CLLEFW	HYNIX	32K x8 bit 3.3V Low Power CMOS slow SRAM	获取价格
GM76V256CLLEFW-10	HYNIX	Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, SOP-28	获取价格
GM76V256CLLEFW-70	ETC	x8 SRAM	获取价格
GM76V256CLLEFW-85	ETC	x8 SRAM	获取价格
GM76V256CLLET	HYNIX	32K x8 bit 3.3V Low Power CMOS slow SRAM	获取价格
GM76V256CLLET-10	HYNIX	Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, TSOP1-28	获取价格