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GM76V256CLLE-85

更新时间： 2024-02-26 10:12:10
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
10页 136K
描述
Standard SRAM, 32KX8, 85ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28

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GM76V256CLLE-85 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：DIP
包装说明：DIP, DIP28,.6针数：28
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.84
最长访问时间：85 nsI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDIP-T28长度：37.008 mm
内存密度：262144 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：28字数：32768 words
字数代码：32000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-25 °C
组织：32KX8输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：DIP
封装等效代码：DIP28,.6封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：3.3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：4.826 mm
最小待机电流：2 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.035 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：OTHER端子形式：THROUGH-HOLE
端子节距：2.54 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：15.24 mm
Base Number Matches：1

GM76V256CLLE-85 数据手册

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GM76V256C Series  
DC CHARACTERISTICS  
Vcc = 3.3V ±10%, TA = 0¡ Éto 70¡ (ÉNormal)/-25°C to 85°C (Extended), unless otherwise specified.  
Symbol  
ILI  
ILO  
Parameter  
Input Leakage Current  
Output Leakage Current  
Test Condition  
Vss < VIN < Vcc  
Vss < VOUT < Vcc, /CS = VIH or  
/OE = VIH or /WE = VIL  
/CS = VIL,  
VIN = VIH or VIL, II/O = 0mA  
/CS = VIL, Vin = Vih or Vil  
Min. Duty Cycle = 100%, II/O = 0mA  
/CS = VIL, Vin = Vih or Vil  
Cycle = 1us , II/O = 0mA  
/CS= VIH  
Min. Typ. Max. Unit  
-1  
-1  
-
-
1
1
uA  
uA  
Icc  
Operating Power Supply  
Current  
Average Operating Current  
-
-
-
-
-
-
-
-
2
35  
5
mA  
mA  
mA  
mA  
ICC1  
ICC2  
ISB  
Average Operating Current  
TTL Standby Current  
(TTL Inputs)  
0.5  
ISB1  
CMOS Standby Current  
(CMOS Inputs)  
/CS > Vcc - 0.2V  
L
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
20  
10  
30  
15  
0.4  
-
uA  
uA  
uA  
uA  
V
LL  
LE  
LLE  
VOL  
VOH  
Output Low Voltage  
Output High Voltage  
IOL = 2.1mA  
IOH = -1.0mA  
2.4  
V
Note : Typical values are at Vcc =3.3V, TA = 25°C  
AC CHARACTERISTICS(I)  
Vcc = 3.3V ±10%, TA = 0°C to 70°C (Normal) / -25¡ Éto 85¡ É(Extended) unless otherwise specified.  
-85  
Max. Min  
-10  
Max.  
Unit  
#
Symbol  
Parameter  
Min.  
READ CYCLE  
1
2
3
4
5
6
7
8
9
tRC  
tAA  
tACS  
tOE  
tCLZ  
tOLZ  
tCHZ  
tOHZ  
tOH  
Read Cycle Time  
Address Access Time  
Chip Select Access Time  
Output Enable to Output Valid  
Chip Select to Output in Low Z  
Output Enable to Output in Low Z  
Chip Disable to Output in High Z  
Out Disable to Output in High Z  
Output Hold from Address Change  
85  
-
-
-
10  
5
0
0
10  
-
100  
-
-
-
10  
5
0
0
15  
-
100  
100  
50  
-
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
85  
85  
45  
-
-
-
30  
30  
-
35  
35  
-
WRITE CYCLE  
10 tWC  
11 tCW  
12 tAW  
13 tAS  
14 tWP  
15 tWR  
16 tWHZ  
17 tDW  
18 tDH  
19 tOW  
Write Cycle Time  
85  
75  
70  
0
60  
0
0
35  
0
-
-
-
-
-
-
30  
-
-
-
100  
80  
80  
0
70  
0
0
40  
0
-
-
-
-
-
-
30  
-
-
-
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
Chip Selection to End of Write  
Address Valid to End of Write  
Address Set-up Time  
Write Pulse Width  
Write Recovery Time  
Write to Output in High Z  
Data to Write Time Overlap  
Data Hold from Write Time  
Output Active from End of Write  
5
10  
Rev 00 / Jul. 2000  
3
1234567...10

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