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GM76C8128CLWFW-55

更新时间： 2024-02-09 18:42:48

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其他 - ETC		内存集成电路静态存储器光电二极管
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描述
x8 SRAM

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GM76C8128CLWFW-55 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.74
最长访问时间：	55 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-G32	JESD-609代码：	e0
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	端子数量：	32
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	128KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装等效代码：	SOP32,.56
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
并行/串行：	PARALLEL	电源：	3/5 V
认证状态：	Not Qualified	最大待机电流：	0.00005 A
最小待机电流：	2 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.07 mA	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

GM76C8128CLWFW-55 数据手册

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GM76C8128CL/CLL-W

DC Operating Characteristics (VCC = 5V+/-10%, TA = 0 ~ 70C)

Symbol

Parameter

Conditions

Min *Typ Max Unit

II(L)

Input Leakage Current

-1

VIN = 0 to VCC

IO(L)

Output Leakage Current

/CS1 = VIH or CS2 = VIL

/OE = VIH, VSS <=VOUT<=VCC

-1

High Level Output Voltage

Low Level Output Voltage

2.4

OH = -1.0mA

VOL

0.4

IOL = 2.1mA

Operating Supply Current

Average Operating Current

/CS1 = VIL and CS2 = VIH

OUT = 0mA

VIN = VIH/VIL, I

CC1

CC2

/CS1 = VIL and CS2 = VIH

VIN = VIH/VIL

IOUT = 0mA

tcycle = Min, cycle

/CS1 = 0.2V, CS2 = VCC-0.2V

VIN = VCC - 0.2V/0.2V

IOUT = 0mA

tcycle = 1us

Standby Current (TTL)

CCS1

CCS2

/CS1 = VIH, CS2 = VIL

L - Version

LL - Version

100

/CS1 = VCC-0.2V

CS2 = 0.2V

Standby Current (CMOS)

*Typ. Values are measured at 25C

AC Operating Characteristics

Test Conditions (VCC = 5V+/-10%, TA = 0 ~ 70C, unless otherwise noted.)

Parameter

Value

0.6V to 2.4V

5ns

Input Pulse Level

Input Rise and Fall Time

Input and Output Timing Reference Levels

Output Load

1.5V

See below

Output Load (A)

Output Load (B) (for tCHZ, tCLZ, tWHZ, tOW, tOLZ & tOHZ)

+5V

1.8K§Ù

DOUT

5 §Ü*

990§Ù

100 §Ü*

990§Ù

125

1 2 3 456 7 8...13

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