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Datasheet > GM76C256CLLFW-55W
GM76C256CLLFW-55W PDF预览

GM76C256CLLFW-55W

更新时间： 2024-01-26 01:18:50
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
10页 144K
描述
Standard SRAM, 32KX8, 120ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, SOP-28

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GM76C256CLLFW-55W 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOIC
包装说明：SOP,针数：28
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.69
最长访问时间：120 ns其他特性：ALSO OPERATES WITH 5V SUPPLY
JESD-30 代码：R-PDSO-G28长度：18.3895 mm
内存密度：262144 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：28字数：32768 words
字数代码：32000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：32KX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE并行/串行：PARALLEL
认证状态：Not Qualified座面最大高度：2.794 mm
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL宽度：8.6865 mm
Base Number Matches：1

GM76C256CLLFW-55W 数据手册

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GM76C256CW Series  
DC CHARACTERISTICS  
Vcc = 3V ±10%,5V ±10%, TA = 0¡ Éto 70¡ ,Éunless otherwise specified.  
Vcc = 3V¡ ¾10%  
Min Typ Max Min Typ Max  
Vcc = 5V¡ ¾10%  
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Vss < VIN < Vcc  
Unit  
ILI  
ILO  
Input Leakage Current  
Output Leakage Current Vss < VOUT < Vcc,  
/CS = VIH or  
-1  
-1  
-
-
1
1
-1  
-1  
-
-
1
1
uA  
uA  
/OE = VIH or /WE = VIL  
Icc  
Operating Power Supply /CS = VIL,  
-
0.6  
2
-
7
10  
mA  
Current  
VIN = VIH or VIL,  
II/O = 0mA  
ICC1  
Average Operating  
Current  
/CS = VIL, II/O = 0mA,  
Min. Duty Cycle = 100%,  
/CS = VIL, II/O =0mA,  
Cycle = 1us,  
-
-
-
-
-
-
30  
5
-
-
-
-
-
-
70  
10  
1
mA  
mA  
mA  
ISB  
TTL Standby Current  
(TTL Inputs)  
/CS= VIH  
0.3  
ISB1  
CMOS Standby Current /CS > Vcc - 0.2V  
(CMOS Inputs)  
L
LL  
20  
10  
0.4  
-
-
-
-
-
-
-
40  
20  
0.4  
-
uA  
uA  
V
VOL  
VOH  
Output Low Voltage  
Output High Voltage  
IOL = 2.1mA  
IOH = -1.0mA  
2.2  
2.4  
V
Note : Typical values are at Vcc =3.0V/5.0V, TA = 25°C  
AC CHARACTERISTICS(I)  
Vcc = 3V ±10%, TA = 0°C to 70°C (Normal) unless otherwise specified.  
-55  
-70  
Max.  
#
Symbol  
Unit  
Parameter  
Min.  
Max. Min.  
READ CYCLE  
1
2
3
4
5
6
7
8
9
tRC  
tAA  
tACS  
tOE  
tCLZ  
tOLZ  
tCHZ  
tOHZ  
tOH  
Read Cycle Time  
Address Access Time  
Chip Select Access Time  
Output Enable to Output Valid  
Chip Select to Output in Low Z  
Output Enable to Output in Low Z  
Chip Disable to Output in High Z  
Out Disable to Output in High Z  
Output Hold from Address Change  
120  
-
-
-
120  
120  
55  
-
150  
-
-
-
150  
150  
60  
-
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
-
-
10  
10  
0
0
10  
15  
15  
0
0
10  
-
-
40  
40  
-
50  
50  
-
WRITE CYCLE  
10 tWC  
11 tCW  
12 tAW  
13 tAS  
14 tWP  
15 tWR  
16 tWHZ  
17 tDW  
18 tDH  
19 tOW  
Write Cycle Time  
120  
100  
100  
0
65  
0
0
40  
0
-
-
-
-
-
-
40  
-
-
-
150  
120  
120  
0
70  
0
0
50  
0
-
-
-
-
-
-
50  
-
-
-
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
Chip Selection to End of Write  
Address Valid to End of Write  
Address Set-up Time  
Write Pulse Width  
Write Recovery Time  
Write to Output in High Z  
Data to Write Time Overlap  
Data Hold from Write Time  
Output Active from End of Write  
10  
15  
Rev 00 / Jul. 2000  
3
1234567...10

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