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GM76C256CLFW-55/E

更新时间： 2023-01-15 00:00:00

品牌	Logo	应用领域
海力士 - HYNIX		静态存储器光电二极管
页数	文件大小	规格书
11页	93K
描述
Standard SRAM, 32KX8, 55ns, CMOS, PDSO28, SOP-28

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GM76C256CLFW-55/E 数据手册

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GM76C256C Series

TIMING DIAGRAM

READ CYCLE 1

tRC

ADDR

tAA

tOE

tOH

tOLZ

tACS

tCLZ

tOHZ

tCHZ

High-Z

Data

Out

Data Valid

Note(READ CYCLE):

1. tCHZ and tOHZ are defined as the time at which the outputs achieve the open circuit conditions and arenot

referenced to output voltage levels.

2. At any given temperature and voltage condition, tCHZ max. is less than tCLZ min. both for a given device

and from device to device.

3. /WE is high for the read cycle.

READ CYCLE 2

tRC

ADDR

tAA

tOH

Data

Out

Previous Data

Data Valid

Note(READ CYCLE):

1. /WE is high for the read cycle.

2. Device is continuously selected /CS= VIL.

3. /OE =VIL.

Rev 03 / Apr. 2000

1...3 4 567 8 9...11

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与GM76C256CLFW-55/E相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
GM76C256CLFW-55W	HYNIX	Standard SRAM, 32KX8, 120ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, SOP-28	获取价格
GM76C256CLFW-70	ETC	x8 SRAM	获取价格
GM76C256CLFW-70/E	HYNIX	Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDSO28, SOP-28	获取价格
GM76C256CLFW-85	ETC	x8 SRAM	获取价格
GM76C256CLFW-85E	HYNIX	Standard SRAM, 32KX8, 85ns, CMOS, PDSO28	获取价格
GM76C256CLFW-W70	HYNIX	Standard SRAM, 32KX8, 150ns, CMOS, PDSO28	获取价格