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GM72V66841GLT-K

更新时间： 2023-02-15 00:00:00

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海力士 - HYNIX		动态存储器光电二极管
页数	文件大小	规格书
11页	49K
描述
Synchronous DRAM, 8MX8, 5.4ns, CMOS, PDSO54

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GM72V66841GLT-K 数据手册

GM72V66841G

CAPACITANCE (TA=25°C, f=1MHz)

Parameter

Symbol

Min

Max

Unit

Input capacitance

CLK

CI1

CI2

A0 ~ A11, BA0, BA1, CKE, CS, RAS,

CAS, WE, DQM

2.5

Data input / output capacitance

DQ0 ~ DQ7

CI/O

6.5

OUTPUT LOAD CIRCUIT

Vtt=1.4V

RT=250 W

Output

50pF

DC Output Load Circuit

AC Output Load Circuit

DC CHARACTERISTICS I (TA=0 to 70°C, VDD=3.3±0.3V)

Parameter

Symbol

Min.

Max

Unit

Note

Input Leakage Current

Output Leakage Current

Output High Voltage

Output Low Voltage

ILI

-1

2.4

ILO

VOH

VOL

IOH = -4mA

IOL = +4mA

0.4

Note :

1.VIN = 0 to 3.6V, All other pins are not tested under VIN =0V

2.DOUT is disabled, VOUT=0 to 3.6V

Rev. 0.2/Oct.00

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