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GM72V66841ELT-7J

更新时间： 2024-02-29 23:15:18

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海力士 - HYNIX		存储内存集成电路光电二极管动态存储器时钟
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10页	90K
描述
2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM

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GM72V66841ELT-7J 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSOP2, TSOP54,.46,32
针数：	54	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.76	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	6 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	100 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	1,2,4,8	JESD-30 代码：	R-PDSO-G54
JESD-609代码：	e0	长度：	22.22 mm
内存密度：	67108864 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	54
字数：	8388608 words	字数代码：	8000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	8MX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装等效代码：	TSOP54,.46,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	1,2,4,8,FP	最大待机电流：	0.0004 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.16 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

GM72V66841ELT-7J 数据手册

GM72V66841ET/ELT

Block Diagram

A0 to A13

A0 to A8

A0 to A13

Column address

counter

Column address

buffer

Row address

counter

Refresh

counter

Row decoder

Memory array

Bank 0

Memory array

Bank 1

Memory array

Bank 2

Memory array

Bank 3

4096 row

x 512 column

x 8 bit

4096 row

x 512 column

x 8 bit

4096 row

x 512 column

x 8 bit

4096 row

x 512 column

x 8 bit

Input

buffer

Output

buffer

Control logic &

timing generator

DQ0 to DQ7

-2-

Rev. 1.1/Apr.01

123 4 5 6 7...10

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