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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | BLP-54 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.7 |
| 访问模式： | FOUR BANK PAGE BURST | 最长访问时间： | 6 ns |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-N54 | 内存密度： | 67108864 bit |
| 内存集成电路类型： | SYNCHRONOUS DRAM | 内存宽度： | 16 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 54 | 字数： | 4194304 words |
| 字数代码： | 4000000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 4MX16 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| GM72V661641DI-10K | HYNIX | Synchronous DRAM, 4MX16, 8ns, CMOS, PDSO54, |
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| GM72V661641DI-8 | HYNIX | Synchronous DRAM, 4MX16, 6ns, CMOS, PDSO54, |
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| GM72V661641DLI | ETC | 1,048,576WORD X 16BIT X 4BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
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| GM72V661641DLI-10K | HYNIX | Synchronous DRAM, 4MX16, 8ns, CMOS, PDSO54, |
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| GM72V66441DI-7J | HYNIX | Synchronous DRAM, 16MX4, 6ns, CMOS, PDSO54, |
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| GM72V66441DLI-10K | HYNIX | Synchronous DRAM, 16MX4, 8ns, CMOS, PDSO54, |
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