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GM71VS64403ALT-5

更新时间: 2024-02-16 05:20:24
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其他 - ETC 内存集成电路光电二极管动态存储器
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25页 398K
描述
x4 EDO Page Mode DRAM

GM71VS64403ALT-5 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
包装说明:TSOP, TSOP32,.46Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.83Is Samacsys:N
最长访问时间:50 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G32JESD-609代码:e0
内存密度:67108864 bit内存集成电路类型:EDO DRAM
内存宽度:4端子数量:32
字数:16777216 words字数代码:16000000
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:16MX4输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP
封装等效代码:TSOP32,.46封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:8192
自我刷新:YES最大待机电流:0.0003 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.16 mA
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

GM71VS64403ALT-5 数据手册

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GM71V64403A  
GM71VS64403AL  
LG Semicon  
TSOPII 32 PIN Package Dimension  
0.40 MIN  
0.60 MAX  
Unit: mm  
¡ £  
20.95 MIN  
21.35 MAX  
0 ~ 5  
NORMAL TYPE  
0.145  
0.125  
0.05  
0.04  
0.80  
1.15 MAX  
0.42 0.08  
0.40 0.06  
1.27  
0.08 MIN  
0.18 MAX  
0.10  
Dimension including the plating thickness  
Base material dimension  
25  

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