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GM71C4403DR-70

更新时间: 2024-02-08 08:32:58
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乐金电子 - LG /
页数 文件大小 规格书
28页 1793K
描述
1,048,576 Words x Bit Organization

GM71C4403DR-70 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.92
最长访问时间:70 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G20JESD-609代码:e0
内存密度:4194304 bit内存集成电路类型:EDO DRAM
内存宽度:4端子数量:20
字数:1048576 words字数代码:1000000
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:1MX4输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSSOP
封装等效代码:TSSOP20/26,.36封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH电源:5 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:1024
反向引出线:YES自我刷新:NO
最大待机电流:0.001 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.07 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:0.635 mm
端子位置:DUAL

GM71C4403DR-70 数据手册

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