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GM71C4400CT-60

更新时间: 2024-02-19 22:32:39
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 动态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
9页 103K
描述
Fast Page DRAM, 1MX4, 60ns, CMOS, PDSO20,

GM71C4400CT-60 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
包装说明:TSOP, TSOP20/26,.36Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.75Is Samacsys:N
最长访问时间:60 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G20JESD-609代码:e0
内存密度:4194304 bit内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM
内存宽度:4端子数量:20
字数:1048576 words字数代码:1000000
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:1MX4输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP
封装等效代码:TSOP20/26,.36封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE电源:5 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:1024
自我刷新:NO最大待机电流:0.001 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.11 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

GM71C4400CT-60 数据手册

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GM71C(S)4400C/CL  
LG Semicon  
Read- Modify-Write Cycle  
GM71C(S)4400 GM71C(S)4400 GM71C(S)4400  
C/CL-60 C/CL-70 C/CL-80  
Unit Note  
Symbol  
Parameter  
Min Max Min Max Min Max  
t
t
t
t
t
RWC  
RWD  
CWD  
AWD  
OEH  
Read-Modify-Write Cycle Time  
RAS to WE Delay Time  
150  
80  
35  
50  
15  
-
-
-
-
-
180  
95  
45  
60  
20  
-
-
-
-
-
200  
105  
45  
-
-
-
-
-
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
10  
10  
10  
CAS to WE Delay Time  
Column Address to WE Delay Time  
OE Hold Time from WE  
65  
20  
Refresh Cycle  
GM71C(S)4400 GM71C(S)4400 GM71C(S)4400  
C/CL-60 C/CL-70 C/CL-80  
Unit Note  
Symbol  
Parameter  
Min Max Min Max Min Max  
t
t
CSR  
CAS Set-up Time  
(CAS-before-RAS Refresh Cycle)  
10  
10  
-
-
10  
10  
-
-
10  
10  
-
-
ns  
ns  
CHR  
CAS Hold Time  
(CAS-before-RAS Refresh Cycle)  
t
t
RPC  
CPN  
RAS Precharge to CAS Hold Time  
CAS Precharge Time in Normal Mode  
10  
10  
-
-
10  
10  
-
-
10  
10  
-
-
ns  
ns  
Fast Page Mode Cycle  
GM71C(S)4400 GM71C(S)4400 GM71C(S)4400  
C/CL-60 C/CL-70 C/CL-80  
Unit Note  
Symbol  
Parameter  
Min Max Min Max Min Max  
t
t
t
t
t
t
PC  
Fast Page Mode Cycle Time  
40  
10  
-
-
-
45  
10  
-
-
-
50  
10  
-
-
-
ns  
ns  
CP  
Fast Page Mode CAS Precharge Time  
Fast Page Mode RAS Pulse Width  
Access Time from CAS Precharge  
RAS Hold Time from CAS Precharge  
100,000  
100,000  
100,000  
RASP  
ACP  
RHCP  
CPW  
ns  
ns  
ns  
ns  
12  
-
35  
-
-
40  
-
-
45  
-
3,13,17  
35  
40  
65  
45  
70  
Fast Page Mode Read-Modify-Write Cycle 55  
CAS Precharge to WE Delay Time  
-
-
-
t
PRWC  
Fast Page Mode Read-Modify-Write Cycle  
Time  
80  
-
95  
-
100  
-
ns  
10  
6

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