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GM71C18160CJ-5

更新时间: 2024-01-29 00:20:58
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其他 - ETC 动态存储器
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10页 112K
描述
x16 Fast Page Mode DRAM

GM71C18160CJ-5 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.78
访问模式:FAST PAGE最长访问时间:50 ns
其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESHI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-J42JESD-609代码:e0
内存密度:16777216 bit内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM
内存宽度:16功能数量:1
端口数量:1端子数量:42
字数:1048576 words字数代码:1000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:1MX16
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOJ封装等效代码:SOJ42,.44
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:5 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:1024
自我刷新:NO最大待机电流:0.001 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.19 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

GM71C18160CJ-5 数据手册

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GM71C18160C  
GM71CS18160CL  
R ead- Modify-W r ite Cycle  
GM71C(S)18160 GM71C(S)18160 GM71C(S)18160  
C/CL-5 C/CL-6 C/CL-7  
Unit  
Note  
Symbol  
Parameter  
Min Max Min Max Min Max  
t
R W C  
Read-Modify-Write Cycle Time  
RAS to WE Delay Time  
131  
73  
-
-
-
-
-
155  
85  
-
-
-
-
-
181  
98  
-
-
-
-
-
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
tR W D  
14  
14  
14  
tC W D  
CAS to WE Delay Time  
36  
40  
46  
tAWD  
Column Address to WE Delay Time  
OE Hold Time from WE  
48  
55  
63  
tOEH  
13  
15  
18  
R efresh Cycle  
GM71C(S)18160 GM71C(S)18160 GM71C(S)18160  
C/CL-5 C/CL-6 C/CL-7  
Unit  
Note  
Symbol  
Parameter  
Min Max Min Max Min Max  
tC S R  
CAS Setup Time  
21  
5
-
5
-
5
-
ns  
(CAS-before-RAS Refresh Cycle)  
t
CHR  
CAS Hold Time  
22  
21  
7
5
-
-
10  
5
-
-
10  
5
-
-
ns  
ns  
(CAS-before-RAS Refresh Cycle)  
R A S Precharge to CAS Hold Time  
tRPC  
F a st Page Mode Cycle  
GM71C(S)18160 GM71C(S)18160 GM71C(S)18160  
C/CL-5 C/CL-6 C/CL-7  
Unit  
Note  
Symbol  
Parameter  
Min Max Min Max Min Max  
35  
-
-
40  
-
-
45  
-
-
ns  
ns  
ns  
ns  
t
PC  
Fast Page Mode Cycle Time  
100,000  
100,000  
100,000  
Fast Page Mode RAS Pulse Width  
16  
tR A S P  
Access Time from CAS Precharge  
RAS Hold Time from CAS Precharge  
-
30  
-
-
35  
-
-
40  
-
9,17,22  
tACP  
30  
35  
40  
tRHCP  
F a st Page Mode Read-Modify-W r ite Cycle  
GM71C(S)18160 GM71C(S)18160 GM71C(S)18160  
C/CL-5 C/CL-6 C/CL-7  
Unit  
Note  
Symbol  
Parameter  
Min Max Min Max Min Max  
t
PRWC  
Fast Page Mode Read-Modify-Write  
Cycle Time  
76  
53  
-
-
85  
60  
-
-
96  
68  
-
-
ns  
ns  
tCPW  
WE Delay Time from CAS Precharge  
14,22  
Rev 0.1 / Apr’01  

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