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GM71C17803CJ-7

更新时间： 2024-01-22 09:09:26
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 内存集成电路光电二极管动态存储器
页数 文件大小 规格书
9页 105K
描述
x8 EDO Page Mode DRAM

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GM71C17803CJ-7 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.78
Is Samacsys：N访问模式：FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间：70 ns其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-J28
JESD-609代码：e0内存密度：16777216 bit
内存集成电路类型：EDO DRAM内存宽度：8
功能数量：1端口数量：1
端子数量：28字数：2097152 words
字数代码：2000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：2MX8输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOJ
封装等效代码：SOJ28,.44封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：5 V认证状态：Not Qualified
刷新周期：2048自我刷新：NO
最大待机电流：0.001 A子类别：DRAMs
最大压摆率：0.11 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：J BEND端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

GM71C17803CJ-7 数据手册

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GM71C17803C  
GM71CS17803CL  
Capacitance (VCC = 5V+/ - 10%, TA = 25C)  
Symbol  
Parameter  
Input Capacitance (Address)  
Input Capacitance (Clocks)  
Output Capacitance (Data-In/Out)  
Min  
Max  
Unit  
pF  
Note  
1
CI1  
-
-
-
5
7
7
pF  
CI2  
1
pF  
CI/O  
1, 2  
Note: 1. Capacitance measured with Boonton Meter or effective capacitance measuring method.  
2. CAS = VIH to disable DOUT  
.
AC Characteristics (VCC = 5V+/-10%, TA = 0 ~ +70C, Vss = 0V Note 1, 2, 18)  
Test Conditions  
Input rise and fall times : 2 ns  
Input timing reference levels : 0.8V, 2.4V  
Output timing reference levels : 0.8V, 2.0V  
Output load : 1TTL gate + CL (100 pF)  
(Including scope and jig)  
Read, Write, Read-Modify-Write and Refresh Cycles (Common Parameters)  
GM71C(S)17803 GM71C(S)17803 GM71C(S)17803  
C/CL-5  
C/CL-6  
C/CL-7  
Unit  
Note  
Symbol  
Parameter  
Min Max Min Max Min Max  
Random Read or Write Cycle Time  
RAS Precharge Time  
84  
30  
-
-
104  
40  
-
-
124  
50  
-
-
ns  
ns  
t
RC  
tRP  
CAS Precharge Time  
7
-
10  
60  
-
13  
70  
-
ns  
t
CP  
ns  
ns  
ns  
ns  
t
RAS  
CAS  
ASR  
RAH  
ASC  
CAH  
RCD  
RAD  
RSH  
CSH  
CRP  
ODD  
DZO  
DZC  
RAS Pulse Width  
50 10,000  
10,000  
10,000  
t
CAS Pulse Width  
7
0
7
0
10,000 10 10,000 13 10,000  
t
Row Address Set up Time  
Row Address Hold Time  
Column Address Set-up Time  
-
-
-
0
10  
0
-
-
-
-
0
10  
0
-
-
-
-
t
t
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
t
Column Address Hold Time  
RAS to CAS Delay Time  
RAS to Column Address Delay Time  
RAS Hold Time  
7
11  
9
-
37  
25  
-
10  
13  
14 45  
12 30  
14 52  
12 35  
3
4
t
t
t
10  
35  
5
13  
40  
5
-
-
13  
45  
5
-
-
CAS Hold Time  
-
t
CAS to RAS Precharge Time  
OE to DIN Delay Time  
-
-
-
t
t
13  
0
-
15  
0
-
18  
0
-
5
6
6
7
t
OE Delay Time from DIN  
CAS Delay Time from DIN  
Transition Time (Rise and Fall)  
-
-
-
0
-
0
-
0
-
t
tT  
2
50  
2
50  
2
50  
Rev 0.1 / Apr’01  
1234567...9

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