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GIB1401HE3/81

更新时间： 2024-01-23 10:38:41

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威世 - VISHAY		功效二极管
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5页	84K
描述
DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB

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GIB1401HE3/81 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.57
其他特性：	FREE WHEELING DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT, HIGH RELIABILITY	应用：	EFFICIENCY
外壳连接：	CATHODE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.8 V	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	最大非重复峰值正向电流：	125 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-65 °C	最大输出电流：	8 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	245
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	50 V
最大反向恢复时间：	0.035 µs	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40

GIB1401HE3/81 数据手册

GIB1401, GIB1402, GIB1403, GIB1404

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Vishay General Semiconductor

PACKAGE OUTLINE DIMENSIONS in inches (millimeters)

TO-263AB

Mounting Pad Layout

0.411 (10.45)

0.380 (9.65)

0.245 (6.22)

MIN.

0.190 (4.83)

0.160 (4.06)

0.42 (10.66) MIN.

0.055 (1.40)

0.045 (1.14)

0.33 (8.38) MIN.

0.055 (1.40)

0.047 (1.19)

0.360 (9.14)

0.320 (8.13)

0.624 (15.85)

0.670 (17.02)

0.591 (15.00)

0 to 0.01 (0 to 0.254)

0.110 (2.79)

0.090 (2.29)

0.021 (0.53)

0.014 (0.36)

0.15 (3.81) MIN.

0.037 (0.940)

0.027 (0.686)

0.08 (2.032) MIN.

0.105 (2.67)

0.095 (2.41)

0.140 (3.56)

0.110 (2.79)

0.105 (2.67)

0.095 (2.41)

0.205 (5.20)

0.195 (4.95)

Revision: 23-Feb-15

Document Number: 88632

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