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GI1-1600-E3/54

更新时间： 2024-02-07 10:25:09

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威世 - VISHAY		二极管
页数	文件大小	规格书
4页	76K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1600V V(RRM), Silicon, DO-204AC, DO-15, 2 PIN

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GI1-1600-E3/54 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	O-PALF-W2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.74	其他特性：	FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：	DO-204AC	JESD-30 代码：	O-PALF-W2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	最低工作温度：	-65 °C
最大输出电流：	1 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
最大重复峰值反向电压：	1600 V	最大反向恢复时间：	25 µs
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	Base Number Matches：	1

GI1-1600-E3/54 数据手册

GI1-1200GP thru GI1-1600GP

Vishay General Semiconductor

Miniature High Voltage Glass Passivated Rectifier

FEATURES

• Superectifier structure for high reliability

application

SUPERECTIFIER^®

DO-204AC (DO-15)

• Cavity-free glass-passivated junction

• Low forward voltage drop

• Typical I_Rless than 0.1 μA

• High forward surge capability

• Meets environmental standard MIL-S-19500

• Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106

• AEC-Q101 qualified

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in

accordance to WEEE 2002/96/EC

TYPICAL APPLICATIONS

For use in high voltage rectification of power supplies,

inverters, converters, freewheeling diodes applications

PRIMARY CHARACTERISTICS

I_F(AV)

1.0 A

MECHANICAL DATA

Case: DO-204AC, molded epoxy over glass body

Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating

Base P/N-E3 - RoHS compliant, commercial grade

Base P/NHE3 - RoHS compliant, AEC-Q101 qualified

V_RRM

I_FSM

I_R

1200 V to 1600 V

30 A

10 μA

Terminals: Matte tin plated leads, solderable per

J-STD-002 and JESD 22-B102

E3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test, HE3 suffix

meets JESD 201 class 2 whisker test

V_F

1.1 V

T_Jmax.

175 °C

Polarity: Color band denotes cathode end

MAXIMUM RATINGS (T_A= 25 °C unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

GI1-1200GP

GI1-1400GP

1400

GI1-1600GP

1600

UNIT

Maximum repetitive peak reverse voltage

Maximum RMS voltage

V_RRM

1200

V_RMS

840

980

1120

Maximum DC blocking voltage

V_DC

1200

1400

1600

Maximum average forward rectified current

0.375" (9.5 mm) lead length at T_A= 75 °C

I_F(AV)

1.0

Peak forward surge current 8.3 ms single half

sine-wave superimposed on rated load

I_FSM

Operating junction and storage temperature range

T_J, T_STG

- 65 to + 175

°C

Document Number: 88622

Revision: 15-Mar-11

For technical questions within your region, please contact one of the following:

DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com

www.vishay.com

This datasheet is subject to change without notice.

THE PRODUCT DESCRIBED HEREIN AND THIS DATASHEET ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

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