GBU1006

更新时间： 2024-01-26 03:22:09

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美台 - DIODES		整流二极管桥式整流二极管局域网
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描述
10A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER

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GBU1006 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	R-PSFM-T4	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	4.43	其他特性：	UL RECOGNIZED
外壳连接：	ISOLATED	配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.1 V	JESD-30 代码：	R-PSFM-T4
最大非重复峰值正向电流：	175 A	元件数量：	4
相数：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	3.2 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大重复峰值反向电压：	600 V
子类别：	Bridge Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

GBU1006 数据手册

GBU10005 - GBU1010

10A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER

Features

Glass Passivated Die Construction

High Case Dielectric Strength of 1500VRMS

Low Reverse Leakage Current

GBU

Dim

Min

21.8

3.5

Max

22.3

4.1

Surge Overload Rating to 220A Peak

Ideal for Printed Circuit Board Applications

Plastic Material: UL Flammability

Classification Rating 94V-0

7.4

7.9

UL Listed Under Recognized Component

Index, File Number E94661

1.65

2.25

1.02

4.83

17.5

2.16

2.75

1.27

5.33

18.0

~ ~

Mechanical Data

Case: Molded Plastic

3.2 X 45°

Terminals: Plated Leads Solderable per

MIL-STD-202, Method 208

18.3

3.30

0.46

0.76

18.8

3.56

0.56

1.0

Polarity: Marked on Body

Mounting: Through Hole for #6 Screw

Mounting Torque: 5.0 Inch-pounds Maximum

Marking: Date Code and Type Number

Weight: 6.6 grams (approx.)

All Dimensions in mm

@ T_A= 25°C unless otherwise specified

Maximum Ratings and Electrical Characteristics

Single phase, 60Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

GBU GBU

10005 1001

GBU

1002

GBU

1004

GBU

1006

GBU

1008

GBU

1010

Characteristic

Symbol

Unit

V_RRM

V_RWM

V_R

Peak Repetitive Reverse Voltage

Working Peak Reverse Voltage

DC Blocking Voltage

100

200

140

400

600

420

800

560

1000

700

V_R(RMS)

I_O

RMS Reverse Voltage

280

Average Rectified Output Current (Note 1) @ T_C= 100°C

Non-Repetitive Peak Forward Surge Current

8.3ms single half sine-wave superimposed on rated load

(JEDEC Method)

I_FSM

220

1.0

Forward Voltage (per element)

@ I_F= 5.0A

V_FM

I_R

Peak Reverse Current

at Rated DC Blocking Voltage

@ T_C= 25°C

@ T_C= 125°C

5.0

500

I²t Rating for Fusing (Note 2)

I²t

C_J

200

A²s

Typical Junction Capacitance per Element (Note 3)

Typical Thermal Resistance Junction to Case (Note 1)

Operating and Storage Temperature Range

R_qJC

T_j,T_STG

2.2

°C/W

°C

-55 to +150

Notes:

1. United mounted on 100 x 100 x 1.6mm copper plate heatsink.

2. Non-repetitive, for t > 1.0ms and < 8.3ms.

3. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.

DS30052 Rev. D-2

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GBU10005 - GBU1010

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