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GBU1006C2G

更新时间： 2024-02-09 01:41:58
品牌 Logo 应用领域
TSC 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
4页 208K
描述
Glass Passivated Single-Phase Bridge Rectifier

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GBU1006C2G 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
包装说明：R-PSFM-T4Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.09Is Samacsys：N
其他特性：UL RECOGNIZED最小击穿电压：800 V
外壳连接：ISOLATED配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1 VJESD-30 代码：R-PSFM-T4
最大非重复峰值正向电流：220 A元件数量：4
相数：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：10 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压：800 V子类别：Bridge Rectifier Diodes
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLEBase Number Matches：1

GBU1006C2G 数据手册

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GBU1001 thru GBU1007  
Taiwan Semiconductor  
CREAT BY ART  
Glass Passivated Single-Phase Bridge Rectifier  
FEATURES  
- Ideal for printed circuit board  
- High case dielectric strength of 1500 VRMS  
- High surge current capability  
- Typical IR less than 0.1μA  
- UL Recognized File # E-326243  
- Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and  
in accordance to WEEE 2002/96/EC  
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition  
GBU  
MECHANICAL DATA  
Case: GBU  
Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0  
Packing code with suffix "G" means green compound (halogen-free)  
Terminal: Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102  
Polarity: As marked  
Weight: 4 g (approximately)  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25oC unless otherwise noted)  
GBU GBU GBU GBU GBU GBU GBU  
1001 1002 1003 1004 1005 1006 1007  
PARAMETER  
SYMBOL  
UNIT  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
50  
35  
50  
100  
200  
140  
200  
400  
280  
400  
10  
600  
420  
600  
800  
560  
800  
1000  
V
V
V
A
70  
700  
Maximum DC blocking voltage  
100  
1000  
Maximum average forward rectified current  
IF(AV)  
Peak forward surge current,  
8.3 ms single half sine-wave  
IFSM  
I2t  
220  
200  
A
A2s  
Rating of fusing ( t<8.3ms)  
Maximum instantaneous forward voltage (Note 1)  
IF= 5 A  
IF= 10 A  
VF  
1.0  
1.1  
V
Maximum reverse current @ rated VR TJ=25 oC  
TJ=125 oC  
5
IR  
μA  
500  
Typical junction capacitance per leg (Note 2)  
211  
94  
Cj  
pF  
RθJC  
RθJA  
2
21  
OC/W  
Typical thermal resistance  
OC  
OC  
Operating junction temperature range  
Storage temperature range  
TJ  
- 55 to +150  
- 55 to +150  
TSTG  
Note 1: Pulse test with PW=300μs, 1% duty cycle  
Note 2: Measured at 1MHz and applied Reverse bias of 4.0V DC  
Document Number: DS_D1409018  
Version: I14  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
GBU1006G YFW

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