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GBU1006

更新时间： 2024-01-17 14:24:12

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SECOS		二极管局域网
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2页	703K
描述
Voltage 50V ~ 1000V 10.0Amp Glass Passivited Bridge Rectifiers

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GBU1006 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	R-PSFM-T4	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	4.43	其他特性：	UL RECOGNIZED
外壳连接：	ISOLATED	配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.1 V	JESD-30 代码：	R-PSFM-T4
最大非重复峰值正向电流：	175 A	元件数量：	4
相数：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	3.2 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大重复峰值反向电压：	600 V
子类别：	Bridge Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

GBU1006 数据手册

GBU10005 ~ GBU1010

Voltage 50V ~ 1000V

10.0Amp Glass Passivited Bridge Rectifiers

Elektronische Bauelemente

RoHS Compliant Product

A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free

GBU

FEATURES

ꢀ

Surge overload rating -220 amperes peak

Ideal for printed circuit board

Reliable low cost construction utilizing

molded plastic technique

ꢀ

Plastic material has Underwriters Laboratory

flammability classification 94V-0

Mounting position: Any

Millimeter

Min. Max.

REF.

Min.

21.80

18.30

3.37

Max.

22.20

19.10

3.53

0.9

1.2

0.46

4.80

2.16

0.56

5.30

2.54

17.27

18.29

3.2 x 45°

1.65

1.45

2.03

1.85

3.40

5.40

2.30

4.10

5.90

2.70

9.80

10.20

11.10

10.90

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

(Rating 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase half wave, 60Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, de-rate current by 20%.)

Part Number

Parameter

Symbol

Unit

GBU

1001

GBU

1002

GBU

1004

GBU

1006

GBU

1010

10005

1008

Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage

Maximum RMS Bridge Input Voltage

Maximum DC Blocking Voltage

V_RRM

V_RMS

V_DC

100

200

140

200

400

280

400

600

420

600

800

1000

700

560

800

100

1000

Maximum Average Forward(with heat sink) ²

I_(AV)

Rectified Current @T_C=100°C(without heat sink)

Peak Forward Surge Current 8.3 ms Single Half

Sine-Wave Super Imposed on Rated Load

(JEDEC Method)

I_FSM

V_F

I_R

220

Maximum Forward Voltage @ 5A

1.1

T_J=25°C

Maximum Reverse Current

µA

at Rated DC Blocking Voltage

T_J=125°C

500

I²t Rating for Fusing (t<8.3ms)

I²t

200

A²s

Typical Junction Capacitance Per Element¹

C_J

Typical Thermal Resistance

θJC

2.2

°C/W

°C

Operating and Storage temperature range

T_J,T_STG

-55~150

Notes：

1. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.

2. Device mounted on 100mm*100mm*1.6mm Cu plate heat sink.

http://www.SeCoSGmbH.com/

Any changes of specification will not be informed individually.

11-Oct-2011 Rev. A

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
GBU1006(LS)	DIODES	获取价格	10A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER
GBU1006A	YANGJIE	获取价格	Bridge Rectifier
GBU1006C	HY	获取价格	SILICON BRIDGE RECTIFIERS
GBU1006C2	TSC	获取价格	Glass Passivated Single-Phase Bridge Rectifier
GBU1006C2G	TSC	获取价格	Glass Passivated Single-Phase Bridge Rectifier
GBU1006G	YFW	获取价格	10A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER Reverse
GBU1006-G	ETC	获取价格	Glass Passivated Bridge Rectifiers
GBU1006H	ZOWIE	获取价格	GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER
GBU1006LC	ZOWIE	获取价格	Low VF Bridge Rectifier
GBU1006TB	ETC	获取价格	BRIDGE RECT 1PHASE 600V 10A GBU

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