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GBJ608-BP PDF预览

GBJ608-BP

更新时间： 2024-02-17 09:52:01
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
3页 198K
描述
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 6A, 800V V(RRM), Silicon, PLASTIC, GBJ, 4 PIN

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GBJ608-BP 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：R-PSFM-T4
针数：4Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.15其他特性：UL RECOGNIZED
配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1 V
JESD-30 代码：R-PSFM-T4JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：170 A
元件数量：4相数：1
端子数量：4最高工作温度：150 °C
最大输出电流：6 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：800 V子类别：Bridge Rectifier Diodes
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

GBJ608-BP 数据手册

 浏览型号GBJ608-BP的Datasheet PDF文件第2页浏览型号GBJ608-BP的Datasheet PDF文件第3页 
GBJ6005  
THRU  
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
Micro Commercial Components  
GBJ610  
Features  
6 Amp  
•
Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"  
Ideal for printed circuit board  
Glass Passivated  
Bridge Rectifier  
50 to 1000 Volts  
Low forward voltage drop, high current capability.  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisture Sensitivity Level 1  
Lead Free Finish/Rohs Compliant (Note1) ("P"Suffix designates  
Compliant. See ordering information)  
·
·
·
GBJ  
Maximum Ratings  
I
Mounting Torgue: 5.0 in-lbs Maximum  
•
•
•
Operating Temperature: -55°C to +150°C  
Storage Temperature: -55°C to +150°C  
UL Recognized File # E165989  
A
H
G
MCC  
Catalog  
Number  
Device  
Marking  
Maximum  
Reccurrent  
Peak Reverse  
Voltage  
50V  
Maximum Maximum  
B
D
RMS  
Voltage  
DC  
Blocking  
Voltage  
50V  
E
K
+
F
GBJ6005  
GBJ601  
GBJ602  
GBJ604  
GBJ606  
GBJ608  
GBJ610  
35V  
70V  
GBJ6005  
GBJ601  
GBJ602  
GBJ604  
GBJ606  
GBJ608  
GBJ610  
P
C
100V  
200V  
400V  
600V  
800V  
1000V  
100V  
L
140V  
280V  
420V  
560V  
700V  
200V  
400V  
600V  
800V  
M
J
N
O
1000V  
O
DIMENSIONS  
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified  
INCHES  
MM  
DIM  
A
B
C
D
E
F
G
H
I
MIN  
1.170  
.780  
.670  
.019  
.430  
.090  
.120  
.130  
.170  
.100  
.020  
.080  
.040  
.390  
MAX  
1.190  
.800  
.710  
.019  
.440  
.110  
.130  
.150  
.190  
.110  
.030  
.090  
.040  
.400  
MIN  
29.70  
19.70  
17.00  
4.70  
10.80  
2.30  
3.10  
3.40  
4.40  
2.50  
0.60  
2.00  
0.90  
9.80  
MAX  
NOTE  
Average Forward  
Current  
IF(AV)  
6 A  
Tc = 110°C  
30.30  
20.30  
18.00  
4.90  
11.20  
2.70  
3.40  
3.80  
4.80  
2.90  
0.80  
2.40  
1.10  
10.20  
7.70  
4.20  
Peak Forward Surge  
Current  
IFSM  
170A  
8.3ms, half sine  
Maximum  
Instantaneous  
Forward Voltage  
Maximum DC  
Reverse Current At  
Rated DC Blocking  
Voltage  
VF  
IR  
1.0V  
IFM = 3.0A  
TJ = 25°C  
J
K
L
M
N
O
P
5 µA  
500uA  
TJ = 25°C  
TJ = 125°C  
.290  
.150  
.300  
.170  
7.30  
3.80  
Typical thermal  
resistance  
Typical Junction  
Capacitance  
ROJC  
CJ  
1.8 /W  
55 pF  
°C  
Measured at  
1.0MHz, VR=4.0V  
Notes: 1. High Temperature Solder Exemption Applied, see EU Directive Annex Notes 7  
~
~
Case Type  
www.mccsemi.com  
1 of 3  
Revision: C  
2013/01/01  
123

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型号 品牌 替代类型 描述 数据表
GBJ608-F DIODES

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