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GBJ610 PDF预览

GBJ610

更新时间： 2024-01-30 09:02:21
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES /
页数 文件大小 规格书
2页 70K
描述
6.0A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER

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GBJ610 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：R-PSFM-T4
针数：4Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.35
其他特性：UL RECOGNIZED最小击穿电压：1000 V
配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.05 V
JESD-30 代码：R-PSFM-T4最大非重复峰值正向电流：110 A
元件数量：4相数：1
端子数量：4最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：2.8 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：255
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：1000 V
子类别：Bridge Rectifier Diodes表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED

GBJ610 数据手册

 浏览型号GBJ610的Datasheet PDF文件第2页 
GBJ6005 - GBJ610  
6.0A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER  
Features  
GBJ  
·
·
·
·
·
·
Glass Passivated Die Construction  
High Case Dielectric Strength of 1500V  
Dim  
A
B
C
D
E
Min  
29.70  
19.70  
17.00  
3.80  
7.30  
9.80  
2.00  
0.90  
2.30  
Max  
30.30  
20.30  
18.00  
4.20  
RMS  
Low Reverse Leakage Current  
Surge Overload Rating to 170A Peak  
Ideal for Printed Circuit Board Applications  
L
Plastic Material - UL Flammability  
Classification 94V-0  
A
M
K
7.70  
·
UL Listed Under Recognized Component  
Index, File Number E94661  
G
H
I
10.20  
2.40  
B
D
S
N
_
1.10  
Mechanical Data  
J
J
2.70  
P
K
L
3.0 X 45°  
H
I
·
·
Case: Molded Plastic  
C
R
4.40  
3.40  
3.10  
2.50  
0.60  
10.80  
4.80  
3.80  
3.40  
2.90  
0.80  
11.20  
Terminals: Plated Leads, Solderable per  
MIL-STD-202, Method 208  
M
N
P
·
·
·
·
·
Polarity: Molded on Body  
Mounting: Through Hole for #6 Screw  
Mounting Torque: 5.0 in-lbs Maximum  
Weight: 6.6 grams (approx)  
G
E
E
R
S
Marking: Type Number  
All Dimensions in mm  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics @ T = 25°C unless otherwise specified  
A
Single phase, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
GBJ  
6005  
GBJ  
601  
GBJ  
602  
GBJ  
604  
GBJ  
606  
GBJ  
608  
GBJ  
610  
Characteristic  
Symbol  
Unit  
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
50  
35  
100  
70  
200  
140  
400  
600  
420  
800  
560  
1000  
700  
V
VR(RMS)  
RMS Reverse Voltage  
280  
6.0  
V
A
Average Forward Rectified Output Current @ TC = 110°C  
IO  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current, 8.3 ms single  
half-sine-wave superimposed on rated load  
(JEDECmethod)  
IFSM  
170  
1.0  
A
Forward Voltage per element  
@ IF = 3.0A  
VFM  
IR  
V
Peak Reverse Current  
at Rated DC Blocking Voltage  
@ TC = 25°C  
@ TC= 125°C  
5.0  
500  
µA  
I2t Rating for Fusing (t < 8.3ms) (Note 1)  
I2t  
Cj  
120  
55  
A2s  
pF  
Typical Junction Capacitance per Element (Note 2)  
Typical Thermal Resistance Junction to Case (Note 3)  
Operating and Storage Temperature Range  
RqJC  
Tj, TSTG  
1.8  
°C/W  
°C  
-65 to +150  
Notes:  
1. Non-repetitive, for t > 1ms and < 8.3 ms.  
2. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.  
3. Thermal resistance from junction to case per element. Unit mounted on 75 x 75 x 1.6mm aluminum plate heat sink.  
DS21216 Rev. D-2  
1 of 2  
GBJ6005-GBJ610  
12

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GBJ610 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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完全替代

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