5秒后页面跳转
GBJ35G PDF预览

GBJ35G

更新时间: 2024-02-02 03:02:18
品牌 Logo 应用领域
SURGE 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
4页 2298K
描述
Bridge Rectifier Diode,

GBJ35G 技术参数

生命周期:Active包装说明:R-PSFM-T4
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.61其他特性:HIGH RELIABILITY, UL RECOGNIZED
最小击穿电压:400 V配置:BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:R-PSFM-T4最大非重复峰值正向电流:350 A
元件数量:4相数:1
端子数量:4最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C最大输出电流:35 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT最大重复峰值反向电压:400 V
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLEBase Number Matches:1

GBJ35G 数据手册

 浏览型号GBJ35G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号GBJ35G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号GBJ35G的Datasheet PDF文件第4页 

与GBJ35G相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
GBJ35GG SHIKUES GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIERS

获取价格

GBJ35G-LF WTE 暂无描述

获取价格

GBJ35G-LF SURGE Bridge Rectifier Diode,

获取价格

GBJ35H NELLSEMI Glass Passivated Single-Phase Bridge Rectifier

获取价格

GBJ35H_17 NELLSEMI Glass Passivated Single-Phase Bridge Rectifier

获取价格

GBJ35J WTE 35A GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER

获取价格