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| 生命周期： | Active | 包装说明： | R-PSFM-T4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.61 |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY, UL RECOGNIZED | 最小击穿电压： | 600 V |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | BRIDGE, 4 ELEMENTS |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T4 | 最大非重复峰值正向电流： | 350 A |
| 元件数量： | 4 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 最大输出电流： | 35 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 最大重复峰值反向电压： | 600 V |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| GBJ35K | WTE | 35A GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER |
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| GBJ35K | SURGE | Bridge Rectifier Diode, |
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| GBJ35K | WON-TOP | Single In-Line |
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| GBJ35K | GOOD-ARK |
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| GBJ35K | Galaxy Microelectronics | 35A,800V, Bridge Rectifiers |
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| GBJ35KG | SHIKUES | GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIERS |
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