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GBI10J

更新时间： 2024-01-06 05:01:39
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 整流二极管桥式整流二极管
页数 文件大小 规格书
2页 202K
描述
Silicon-Bridge Rectifiers

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GBI10J 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：R-PSIP-W4针数：4
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.68Is Samacsys：N
其他特性：UL RECOGNIZED配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PSIP-W4JESD-609代码：e2
最大非重复峰值正向电流：200 A元件数量：4
相数：1端子数量：4
最大输出电流：3 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：1000 V表面贴装：NO
端子面层：Tin/Silver (Sn/Ag)端子形式：WIRE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

GBI10J 数据手册

 浏览型号GBI10J的Datasheet PDF文件第2页 
GBI 10A ... GBI 10M  
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Forward Current: 10 A  
Reverse Voltage: 50 to 1000 V  
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Features  
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Characteristics  
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Units  
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Dimensions in mm  
1
15-10-2004 SCT  
© by SEMIKRON  
12

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