Datasheet > G30

G30

更新时间： 2024-01-26 22:59:28

品牌	Logo	应用领域
台芯 - TAYCHIPST		二极管
页数	文件大小	规格书
3页	1982K
描述
Silicon ZâDiodes

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

G30 技术参数

生命周期：	Transferred	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.75	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	55 V	最大非重复峰值正向电流：	3 A
元件数量：	1	最大输出电流：	0.01 A
最大重复峰值反向电压：	30000 V	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	Base Number Matches：	1

G30 数据手册

BZG03C Series

10V-270V 3.0A

Silicon Z–Diodes

RATINGS AND CHARACTERISTIC CURVES

BZG03C Series

3.5

3.0

R_thJA= 25 K/W

2.5

2.0

1.5

R_thJA= 100 K/W

1.0

0.5

100 125 150

2.0

0.5

1.0

1.5

T_amb- Ambient Temperature (°C)

94 9580

94 9581

V_F- Forward Voltage (V)

Total Power Dissipation vs. Ambient Temperature

10 000

Fig. 2 - Forward Current vs. Forward Voltage

1000

100

0.01

0.1

100

94 9582

t_p- Pulse Length (ms)

Fig. 3 - Non Repetitive Surge Power Dissipation vs.

Pulse Length

1000

100

t_p/T = 0.5

t_p/T = 0.2

t_p/T = 0.1

t_p/T = 0.05

t_p/T = 0.02

t_p/T = 0.01

10^-5

10^-4

10^-3

10^-2

10^-1

10⁰

10¹

10²

t_p- Pulse Length (s)

94 9583

Thermal Response

E-mail: sales@taychipst.com

Web Site: www.taychipst.com

2 of 2

1 23

下载PDF

与G30相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
G30.B.108111	TAOGLAS	Olympian Direct Mount Ultra Wide-Band	获取价格
G30.B.108111.wm	TAOGLAS	Olympian Direct Mount Ultra Wide-Band	获取价格
G30.B.108111.WM_18	TAOGLAS	Olympian Direct Mount Ultra Wide-Band	获取价格
G30.B.108111_18	TAOGLAS	Olympian Direct Mount Ultra Wide-Band	获取价格
G3000A35T	ETC	THYRISTOR\|GTO\|3.5KV V(DRM)\|TO-200VAR120	获取价格
G3000A40T	ETC	THYRISTOR\|GTO\|4KV V(DRM)\|TO-200VAR120	获取价格