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G28F640J5-L150

更新时间： 2024-09-25 14:50:27

品牌	Logo	应用领域
英特尔 - INTEL		内存集成电路闪存
页数	文件大小	规格书
53页	1108K
描述
Flash, 8MX8, 150ns, PBGA56, 7.67 X 16.31 MM, CSP, MICRO, BGA-56

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G28F640J5-L150 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	VFBGA, BGA54(UNSPEC)	针数：	56
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.1.A
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.91
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	150 ns
备用内存宽度：	16	命令用户界面：	YES
通用闪存接口：	YES	数据轮询：	NO
JESD-30 代码：	R-PBGA-B56	JESD-609代码：	e0
长度：	16.37 mm	内存密度：	67108864 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	8
功能数量：	1	部门数/规模：	64
端子数量：	56	字数：	8388608 words
字数代码：	8000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	8MX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	VFBGA
封装等效代码：	BGA54(UNSPEC)	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3/3.3,5 V
编程电压：	5 V	认证状态：	Not Qualified
就绪/忙碌：	YES	座面最大高度：	1 mm
部门规模：	128K	最大待机电流：	0.0001 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.1 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	MOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.75 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	切换位：	NO
类型：	NOR TYPE	宽度：	7.67 mm
Base Number Matches：	1

G28F640J5-L150 数据手册

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G-29.09OHM1.0%	VISHAY	获取价格	RESISTOR, WIRE WOUND, 1.5 W, 1 %, 50 ppm, 9.09 ohm, THROUGH HOLE MOUNT, AXIAL LEADED
G-29.31OHM1%	VISHAY	获取价格	RESISTOR, WIRE WOUND, 1.5 W, 1 %, 50 ppm, 9.31 ohm, THROUGH HOLE MOUNT, AXIAL LEADED
G-29.31OHM1.0%	VISHAY	获取价格	RESISTOR, WIRE WOUND, 1.5 W, 1 %, 50 ppm, 9.31 ohm, THROUGH HOLE MOUNT, AXIAL LEADED
G-29.531%	VISHAY	获取价格	RESISTOR, WIRE WOUND, 1.5 W, 1 %, 50 ppm, 9.53 ohm, THROUGH HOLE MOUNT, AXIAL LEADED
G-29.53OHM1%	VISHAY	获取价格	RESISTOR, WIRE WOUND, 1.5 W, 1 %, 50 ppm, 9.53 ohm, THROUGH HOLE MOUNT, AXIAL LEADED