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G1B

更新时间： 2024-02-28 13:38:38

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扬杰 - YANGJIE		二极管
页数	文件大小	规格书
4页	262K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon,

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技术参数
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G1B 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.6
其他特性：	FREE WHEELING DIODE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-F2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
最大重复峰值反向电压：	100 V	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

G1B 数据手册

RoHS

G1A THRU G1M

COMPLIANT

Surface Mount General Purpose Rectifier

Features

● Low profile package

● Ideal for automated placement

● Glass passivated chip junction

● Switching for general purpose

● High forward surge capability

● Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak

of 260 °C

Typical Applications

For use in general purpose switching rectification of power supply,

inverters, converters, and freewheeling diodes for

consumer and telecommunication.

Mechanical Date

●

ackage: SOD-123FL

Molding compound meets UL 94 V-0 flammability

rating, RoHS-compliant, halogen-free

● Terminals: Tin plated leads, solderable per

J-STD-002 and JESD22-B102

●

Cathode line denotes the cathode end ꢀ

Polarity:

(T =25℃Unless otherwise specified

■

Maximum Ratings

）

PARAMETER

SYMBOL UNIT

G1A

G1B

G1D

G1G

G1J

G1K

G1M

Device marking code

G1A

G1B

100

G1D

200

G1G

400

G1J

600

G1K

800

G1M

1000

Repetitive peak reverse voltage

RRM

Average rectified output current

@60Hz sine wave, Resistance load, Ta (FIG.1)

1.0

Surge(non-repetitive)forward current

@ 60Hz half-sine wave,1 cycle, Tj=25℃

FSM

Storage temperature

Junction temperature

℃

-55 ~+150

stg

（T =25℃Unless otherwise specified）

■Electrical Characteristics

TEST

CONDITIONS

PARAMETER

SYMBOL

G1A

G1B

G1D

G1G

G1J

G1K

G1M

UNIT

Maximum instantaneous

forward voltage drop per diode

=1.0A

1.1

Ta=25℃

Maximum DC reverse current at

rated DC blocking voltage per diode

μA

RRM

100

Ta=125℃

1 / 4

Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.

S-S036

Rev. 2.4, 23-Apr-19

www.21yangjie.com

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与G1B相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
G1B-E3/54	VISHAY	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-204AP, HERMETIC SEALED, GLASS, G-	获取价格
G1BF	YANGJIE	SMAF	获取价格
G1BF2	YANGJIE	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon,	获取价格
G1BF3	YANGJIE	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon,	获取价格
G1BF5	YANGJIE	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon,	获取价格
G1BFQ	YANGJIE	SMAF	获取价格