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FSC60ML

更新时间： 2024-02-21 13:05:07
品牌 Logo 应用领域
富士通 - FUJITSU 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 62K
描述
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, PLASTIC PACKAGE-6

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FSC60ML 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.84其他特性：LOW NOISE, HIGH RELIABILITY
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：4 V
FET 技术：JUNCTION最高频带：S BAND
JESD-30 代码：R-PDSO-G6元件数量：1
端子数量：6工作模式：DEPLETION MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL功耗环境最大值：0.22 W
最小功率增益 (Gp)：9.5 dB认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches：1

FSC60ML 数据手册

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FSC60ML  
General Purpose GaAs FET  
FEATURES  
• Low Noise Figure: NF=0.8dB (Typ.) @ f=4GHz  
• High Associated Gain: G =11dB (Typ.) @ f=4GHz  
as  
• Small Size: 6 pin Plastic Package for SMT Applications.  
DESCRIPTION  
The FSC60ML is a low noise GaAs FET with an N-channel Schottky gate  
that is well suited for GPS, TVRO and low noise amplifier applications.  
This device has been optimized for high volume cost driven applications.  
Fujitsu’s stringent Quality Assurance Program assures the highest  
reliability and consistent performance.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATING (Ambient Temperature Ta=25¡C)  
Item  
Symbol  
Condition  
Unit  
Rating  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
V
4
V
V
DS  
-5  
GS  
Note  
Total Power Dissipation  
Storage Temperature  
Channel Temperature  
P
T
220  
-65 to +150  
+175  
mW  
¡C  
tot  
stg  
T
¡C  
ch  
Fujitsu recommends the following conditions for the reliable operation of GaAs FETs:  
1. The drain-source operating voltage (V ) should not exceed 3 volts.  
DS  
2. The forward and reverse gate currents should not exceed 0.1 and -0.1mA respectively with  
gate resistance of 2000W.  
3. The operating channel temperature (T ) should not exceed 145¡C.  
ch  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ambient Temperature Ta=25¡C)  
Limits  
Typ.  
Item  
Symbol  
Conditions  
Unit  
Min.  
Max.  
V
V
= 3V, V =0V  
I
mA  
mS  
V
Saturated Drain Current  
Transconductance  
35  
-
55  
75  
-
DS  
GS  
DSS  
= 3V, I =27mA  
gm  
50  
DS  
DS  
Pinch-Off Voltage  
V
V
I
= 3V, I =2.7mA  
-0.7  
-1.2 -1.7  
p
DS  
DS  
V
= -2.7µA  
Gate-Source Breakdown Voltage  
-5  
-
-
-
-
-
V
GSO  
GS  
f=1.5GHz  
f=2.0GHz  
f=4.0GHz  
0.65  
0.7  
dB  
dB  
NF  
Noise Figure  
-
-
0.8  
1.2  
dB  
V
= 3V  
DS  
I
DS  
=10mA  
f=1.5GHz  
f=2.0GHz  
f=4.0GHz  
-
-
17  
15  
-
-
dB  
dB  
G
Associated Gain  
as  
9.5  
11  
-
dB  
Note 1: The RF parameters are measured on a lot basis by sample testing at  
at an AQL=0.1%, Level-II inspection. Any lot failure shall be 100% retested.  
2: The package marking "FGDT" shows the part number, year and month of manufacturer.  
Where: "FG" indicates the part number (FSC60ML)  
"D" indicates the year (1996)  
"T" indicates the month (July)  
Edition 1.1  
July 1999  
1
1234

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