FS14KM-9

更新时间： 2024-01-04 00:56:23

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描述
Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE

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FS14KM-9 技术参数

生命周期：	Not Recommended	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.38
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	450 V
最大漏极电流 (ID)：	14 A	最大漏源导通电阻：	0.52 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	42 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FS14KM-9 数据手册

MITSUBISHI Nch POWER MOSFET

FS14KM-9

HIGH-SPEED SWITCHING USE

GATE-SOURCE VOLTAGE

VS.GATE CHARGE

(TYPICAL)

SOURCE-DRAIN DIODE

FORWARD CHARACTERISTICS

(TYPICAL)

GS = 0V

Tch = 25°C

= 14A

TC=125°C

Pulse Test

VDS = 100V

200V

400V

25°C

75°C

100

0.8

1.6

2.4

3.2

4.0

GATE CHARGE

(nC)

SOURCE-DRAIN VOLTAGE VSD (V)

ON-STATE RESISTANCE VS.

CHANNEL TEMPERATURE

(TYPICAL)

THRESHOLD VOLTAGE VS.

CHANNEL TEMPERATURE

(TYPICAL)

10¹

5.0

4.0

3.0

2.0

1.0

DS = 10V

= 1mA

GS = 10V

ID = 1/2ID

Pulse Test

10⁰

10^–1

–50

100

150

–50

100

150

CHANNEL TEMPERATURE Tch (°C)

BREAKDOWN VOLTAGE VS.

CHANNEL TEMPERATURE

(TYPICAL)

TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE

CHARACTERISTICS

10¹

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

GS = 0V

= 1mA

D=1

0.5

10⁰

0.2

0.1

10^–1

0.05

0.02

0.01

Single Pulse

10^–2

10^–423 5710^–323 5710^–223 5710^–123 5710⁰23 5710¹23 5710²

PULSE WIDTH (s)

–50

100

150

CHANNEL TEMPERATURE Tch (°C)

Feb.1999

1 2 34

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