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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FS14KM-9
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FS14KM-9

更新时间： 2024-01-11 17:30:42
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POWEREX 晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
4页 52K
描述
Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE

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FS14KM-9 技术参数

生命周期：Not Recommended零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.38
Is Samacsys：N外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：450 V
最大漏极电流 (ID)：14 A最大漏源导通电阻：0.52 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：42 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FS14KM-9 数据手册

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MITSUBISHI Nch POWER MOSFET  
FS14KM-9  
HIGH-SPEED SWITCHING USE  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tch = 25°C)  
Symbol Parameter  
Limits  
Unit  
Test conditions  
Min.  
450  
±30  
—
Typ.  
—
Max.  
—
V
V
(BR) DSS Drain-source breakdown voltage ID = 1mA, VGS = 0V  
(BR) GSS Gate-source breakdown voltage IG = ±100µA, VDS = 0V  
VGS = ±25V, VDS = 0V  
Drain-source leakage current VDS = 450V, VGS = 0V  
Gate-source threshold voltage ID = 1mA, VDS = 10V  
V
V
—
—
IGSS  
IDSS  
Gate-source leakage current  
—
±10  
1
µA  
mA  
V
—
—
VGS (th)  
rDS (ON)  
VDS (ON)  
yfs  
2
3
4
Drain-source on-state resistance ID = 7A, VGS = 10V  
Drain-source on-state voltage ID = 7A, VGS = 10V  
—
0.40  
2.8  
7.0  
1500  
180  
30  
0.52  
3.6  
—
Ω
—
V
Forward transfer admittance  
Input capacitance  
Output capacitance  
Reverse transfer capacitance  
Turn-on delay time  
Rise time  
ID = 7A, VDS = 10V  
4.5  
—
S
Ciss  
—
pF  
pF  
pF  
ns  
ns  
ns  
ns  
V
Coss  
Crss  
VDS = 25V, VGS = 0V, f = 1MHz  
—
—
—
—
td (on)  
tr  
—
30  
—
—
50  
—
VDD = 200V, ID = 7A, VGS = 10V, RGEN = RGS = 50Ω  
td (off)  
tf  
Turn-off delay time  
Fall time  
—
130  
50  
—
—
—
VSD  
Source-drain voltage  
Thermal resistance  
IS = 7A, VGS = 0V  
Channel to case  
—
1.5  
—
2.0  
3.13  
Rth (ch-c)  
—
°C/W  
PERFORMANCE CURVES  
POWER DISSIPATION DERATING CURVE  
MAXIMUM SAFE OPERATING AREA  
50  
40  
30  
20  
10  
0
5
tw=10µs  
3
2
101  
7
100µs  
1ms  
5
3
2
100  
7
10ms  
5
3
T
C
= 25°C  
2
Single Pulse  
10–1  
7
DC  
2 3 5 7 101 2 3 5 7 102 2 3 5 7 103  
2
5
0
50  
100  
150  
200  
CASE TEMPERATURE  
TC  
(°C)  
DRAIN-SOURCE VOLTAGE VDS (V)  
OUTPUT CHARACTERISTICS  
(TYPICAL)  
OUTPUT CHARACTERISTICS  
(TYPICAL)  
V
GS=20V  
50  
40  
30  
20  
10  
0
20  
16  
12  
8
10V  
PD = 40W  
PD = 40W  
8V  
V
GS = 20V  
6V  
10V  
8V  
TC  
= 25°C  
Pulse Test  
6V  
5V  
4
5V  
50  
DS (V)  
0
0
10  
20  
30  
40  
0
4
8
12  
16  
20  
DRAIN-SOURCE VOLTAGE  
V
DRAIN-SOURCE VOLTAGE  
V
DS (V)  
Feb.1999  
1234

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