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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.79 |
| 其他特性： | RADIATION HARDENED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 4 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 4 A | 最大漏源导通电阻： | 1.3 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-204AA |
| JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 75 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 75 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 12 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| FRM9230D2 | RENESAS | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 200V, 1.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| FRM9230D3 | RENESAS | 4A, 200V, 1.3ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
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| FRM9230D4 | RENESAS | 4A, 200V, 1.3ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
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| FRM9230H | INTERSIL | 4A, -200V, 1.30 Ohm, Rad Hard, P-Channel Power MOSFETs |
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| FRM9230H | RENESAS | 4A, 200V, 1.3ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
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| FRM9230H1 | RENESAS | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 200V, 1.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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