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FRC230K

更新时间: 2024-01-04 03:10:02
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 386K
描述
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 200V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DIE

FRC230K 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DIE
包装说明:UNCASED CHIP, X-XUUC-NReach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.84
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:200 V
最大漏极电流 (ID):8 A最大漏源导通电阻:0.75 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:X-XUUC-N
JESD-609代码:e0元件数量:1
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:UNSPECIFIED封装形式:UNCASED CHIP
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子面层:TIN LEAD
端子形式:NO LEAD端子位置:UPPER
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

FRC230K 数据手册

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