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FRC140K

更新时间： 2024-02-03 07:00:47

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	386K
描述
Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DIE

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FRC140K 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIE
包装说明：	UNCASED CHIP, X-XUUC-N	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.84
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (ID)：	23 A	最大漏源导通电阻：	0.2 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	X-XUUC-N
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	UNSPECIFIED	封装形式：	UNCASED CHIP
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	UPPER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FRC140K 数据手册

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
FRC150H	MICROSEMI	Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 100V, 0.83ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met	获取价格
FRC150K	MICROSEMI	Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 100V, 0.83ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met	获取价格
FRC160H	MICROSEMI	Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 100V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met	获取价格
FRC160K	MICROSEMI	Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 100V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met	获取价格
FRC1BA-1ANS-DC12V	ETC	RELAY	获取价格
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