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FR1B-13

更新时间： 2024-02-19 03:21:24
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 45K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AA, PLASTIC, SMB, 2 PIN

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FR1B-13 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：DO-214AA
包装说明：PLASTIC, SMB, 2 PIN针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.01
其他特性：HIGH RELIABILITY配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.3 VJEDEC-95代码：DO-214AA
JESD-30 代码：R-PDSO-C2湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：30 A元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：100 V
最大反向恢复时间：0.15 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

FR1B-13 数据手册

 浏览型号FR1B-13的Datasheet PDF文件第2页 
FR1A - FR1M  
GLASS PASSIVATED FAST RECOVERY RECTIFIER  
DESIGNS,  
NEW  
S1MB  
- R  
FOR  
RECOMMENDED  
RS1AB  
USE  
PLEASE  
NOT  
Features  
·
·
For Surface Mounted Applications  
Capable of Meeting Environmental Standards of  
MIL-STD-19500  
B
·
Plastic Material - UL Flammability  
Classification 94V-0  
High Reliability  
Submersible Temperature of 265 °C for  
10 Seconds in Solder Bath  
SMB  
Min  
Dim  
A
Max  
3.94  
4.65  
2.21  
0.40  
6.00  
0.20  
1.52  
2.62  
·
·
A
J
C
3.30  
4.00  
1.95  
0.15  
5.00  
0.10  
0.76  
2.00  
B
·
Glass Passivated Junction  
C
D
D
Mechanical Data  
E
G
H
·
·
Case: SMB, Molded Plastic  
Terminals: Solderable per MIL-STD-202,  
Method 208  
Polarity: Cathode Band  
Approx. Weight: 0.093 grams  
Mounting Position: Any  
G
E
H
J
·
·
·
All Dimensions in mm  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave, 60Hz resistive or inductive load.  
Characteristic  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
Unit  
VRRM  
VRMS  
VDC  
FR1A FR1B FR1D FR1G FR1J FR1K FR1M  
Unit  
V
50  
35  
50  
100  
70  
200  
140  
200  
400  
280  
400  
600  
420  
600  
800  
560  
800  
1000  
700  
V
Maximum DC Blocking Voltage  
100  
1000  
V
Maximum Average Forward Rectified Current  
@ TA = 75°C  
I(AV)  
1.0  
A
Peak Forward Surge Current 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load (JEDEC Method)  
IFSM  
VF  
30  
A
V
Maximum Instantaneous Forward Voltage at 1.0 A  
1.3  
Maximum DC Reverse Current at Rated  
DC Blocking Voltage  
@ TA  
= 25°C  
5.0  
mA  
100  
@ TA = 125°C  
IR  
Maximum Full Load Reverse Current Full Cycle  
Average  
50  
mA  
@ TA = 75°C  
trr  
RQJL  
CJ  
Maximum Reverse Recovery Time (See Note 1)  
MaximumThermal Resistance (See Note 2)  
Typical Junction Capacitance (See Note 3)  
Operating and Storage Temperature Rating  
150  
250  
500  
500  
ns  
°C/W  
pF  
30  
15  
TJ,TSTG  
-65 to +175  
°C  
Notes:  
1. Reverse Recovery Test Conditions: I F = 0.5A, IR = 1A, IRR = 0.25A  
2. Thermal Resistance from junction to lead with 6.0mm 2 copper pads  
3. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V  
DS15003 Rev. 5 - 3  
1 of 2  
www.diodes.com  
FR1A-FR1M  
ã Diodes Incorporated  
12

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